STP60N55F3

STP60N55F3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔TO-220AB封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心架构通过优化单元密度和沟道设计，在保证高耐压（55V Vdss）的同时，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而实现了优异的开关性能与导通损耗的平衡。

该MOSFET的关键性能体现在其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、32A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为8.5毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在45nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，系统响应更迅速。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和高达110W（Tc）的功率耗散能力，确保了器件在苛刻环境下的可靠性与鲁棒性。

在电气参数方面，STP60N55F3的连续漏极电流（Id）在壳温条件下可达80A，栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了充足的驱动安全裕量。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备良好的噪声免疫能力。这些参数共同定义了一个高性能、高可靠性的功率开关解决方案。用户可以通过授权的ST芯片代理获取该器件的详细技术资料与库存信息。

凭借其出色的性能组合，该器件非常适合应用于要求高效率和高电流处理能力的场合。典型应用包括工业领域的电机驱动、伺服控制器和电源中的同步整流与DC-DC转换拓扑。在汽车电子中，可用于辅助驱动、电池管理系统（BMS）中的负载开关。此外，在UPS（不间断电源）、电焊机以及大功率音频放大器等设备中，它也能作为核心的功率开关元件，有效管理能量流，提升终端产品的性能与能效。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有系统和备件市场中，它依然是一个经过验证的可靠选择。

• 型号:STP60N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP60N55F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件设计用于处理高达80A的连续漏极电流（Tc），并具备55V的漏源击穿电压（Vdss），为中等电压、大电流应用提供了坚实的保障。

其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、32A Id条件下，Rds(on)最大值仅为8.5mΩ，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg最大值45nC @10V）确保了快速的开关特性，有利于提升系统效率和工作频率。这些特性使其成为电机驱动、电源转换（如同步整流）和各类功率开关电路的理想选择。