STP6N80K5

STP6N80K5是ST意法半导体基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构旨在最大限度地降低开关损耗和传导损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该器件具备800V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业及消费类电源应用中常见的电压应力和开关尖峰，确保了系统在严苛条件下的长期可靠性。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值表现优异，这直接转化为更低的通态损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）均维持在较低水平，这不仅降低了对栅极驱动电路的要求，也显著提升了开关速度，有助于减少开关过程中的重叠损耗，使得它特别适用于高频开关场合。

在封装与接口方面，STP6N80K5采用标准的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的散热处理方案，其外壳（引脚）与芯片之间实现了电气隔离，为系统设计提供了便利。其最大连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C下为4.5A，最大功耗可达85W，结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，赋予了其强大的功率处理能力和环境适应性。对于需要可靠元器件供应的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道进行采购，以确保产品的原装正品和技术支持。

基于其高耐压、低损耗和快速开关的特性，STP6N80K5非常适合于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、反激或正激拓扑的初级侧开关、以及电子镇流器和电机驱动等应用。在这些场景中，它能够有效提升电源的功率密度和能效等级，同时凭借其稳健的设计，帮助终端产品满足日益严格的能源法规和可靠性标准。

• 型号:STP6N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:255 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP6N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH5产品系列。该器件核心规格包括800V的漏源电压（Vdss）和4.5A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的优化组合。这不仅降低了导通状态下的功率损耗，也确保了快速、高效的开关性能，有助于减少整体系统的开关损耗和发热。器件采用TO-220封装，最大功耗为85W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，展现出良好的功率处理能力与可靠性。