STP6NB90

STP6NB90是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的PowerMESH产品系列。该器件采用先进的垂直DMOS结构，其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗之间的优异平衡。其900V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级开关电源中常见的电压尖峰和应力，而优化的单元密度与沟道设计则有效控制了导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动下，3A电流时典型值仅为2欧姆，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。

该MOSFET的功能特性围绕高可靠性与快速开关性能构建。高达5.8A的连续漏极电流（Tc）和135W的最大功率耗散能力，使其能够处理可观的功率等级。其栅极电荷（Qg）典型值在10V驱动下为55nC，结合1400pF的输入电容（Ciss），意味着器件具有较快的开关速度，有助于减少开关过程中的过渡损耗，提升高频应用下的整体性能。同时，±30V的栅源电压（Vgs）最大值提供了宽裕的驱动安全余量，增强了系统的鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术资料与库存信息。

在接口与参数方面，STP6NB90采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热特性，便于安装在散热器上以管理热耗散。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V（在250A漏极电流条件下），确保了与标准逻辑电平或栅极驱动电路的兼容性。器件的工作结温（TJ）高达150°C，这使其能够在严苛的热环境下稳定运行，满足工业应用对温度范围的严格要求。

得益于其高耐压、适中的电流处理能力和良好的开关特性，这款MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动辅助电源等场景。在这些应用中，它能够有效提升电源转换效率，并凭借其高可靠性保障系统长期稳定运行。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备维护或特定设计中，它依然是一个经过市场验证的可靠选择。

• 型号:STP6NB90
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:135W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP6NB90是ST意法半导体PowerMESH系列中的一款N沟道MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心参数包括900V的漏源电压（Vdss）和5.8A的连续漏极电流（Tc），提供了出色的高压阻断和电流处理能力。

该器件的关键优势在于其优化的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至2欧姆（@3A），有助于降低导通损耗。同时，55nC的栅极电荷（Qg）和1400pF的输入电容（Ciss）确保了快速的开关特性，有利于提升高频开关电源的效率。高达150°C的工作结温（TJ）和135W的功率耗散能力，进一步保证了其在严苛环境下的可靠性与耐用性。