STP6NK90Z

STP6NK90Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于SuperMESH技术，该技术通过特殊的垂直结构设计，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关性能和雪崩耐量，使其在高压开关应用中能够有效降低导通损耗，提升系统整体效率。

该器件具备高达900V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压尖峰和浪涌，提供了宽裕的安全工作裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为5.8A，结合仅2欧姆（典型值，在Vgs=10V， Id=2.9A条件下）的最大导通电阻，确保了在导通状态下具有较低的功率耗散。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，提供了良好的噪声抑制能力。此外，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在60.5nC，配合1350pF的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关转换，减少开关损耗，尤其适用于频率较高的开关电源拓扑。

在封装与可靠性方面，STP6NK90Z采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热特性，其最大功率耗散能力为140W（壳温条件下）。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的国内客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询，以保障项目的顺利进行。

凭借其高耐压、低导通损耗和稳健的开关特性，这款MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）级和主开关、工业照明镇流器、电机控制驱动以及不同断电源（UPS）系统中的高压开关部分。在这些场景中，它能够有效提升电源的功率密度和能效等级，是工程师设计高性能、高可靠性功率转换系统的优选功率开关器件之一。

• 型号:STP6NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP6NK90Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心特性包括高达900V的漏源电压（Vdss）和5.8A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的导通特性上，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为2欧姆，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg最大值60.5nC）和输入电容参数，确保了器件具备快速的开关速度，有利于提升开关电源等应用的效率和工作频率。其结温工作范围宽达-55°C至150°C，展现了良好的环境适应性。