STP75N20

STP75N20是ST意法半导体基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔TO-220AB封装，其核心架构旨在实现高电压下的高效功率开关与电流处理能力。其设计优化了单元密度与导通电阻的平衡，使得在200V的漏源电压（Vdss）等级下，依然能提供高达75A（Tc）的连续漏极电流，这得益于其先进的沟槽栅极工艺，有效降低了单位面积的导通损耗。

在功能特性方面，该器件展现出优异的开关性能与导通效率。其最大导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、37A电流条件下仅为34毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在84nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损耗，这对于高频开关应用至关重要。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。

从接口与关键参数来看，STP75N20的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力。器件在壳温（Tc）条件下的最大功率耗散为190W，结合-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，使其能够适应严苛的热环境。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术资料与库存信息。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能使其在特定领域仍有应用价值。

在应用场景上，凭借200V的耐压和75A的高电流能力，这款MOSFET非常适用于中等功率的DC-DC转换器、电机驱动控制器、不间断电源（UPS）以及工业级开关电源的功率级设计。其TO-220AB封装形式便于安装散热器，适合在需要良好热管理的通孔安装方案中发挥稳定作用，是构建高效、可靠功率电子系统的经典选择之一。

• 型号:STP75N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 75A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 37A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP75N20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装。该器件基于STripFET技术，核心优势在于其200V的漏源电压（Vdss）和高达75A（Tc）的连续漏极电流处理能力，能够胜任中高功率场景的开关需求。

其技术参数突出高效与可靠特性，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为34毫欧（@37A），有效降低了导通损耗。同时，84nC的栅极电荷（Qg）和3260pF的输入电容（Ciss）有助于实现快速的开关速度，提升整体能效。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温，最大功率耗散为190W（Tc），确保了在 demanding 环境下的稳定运行。