STP75NS04Z

STP75NS04Z是意法半导体（STMicroelectronics）推出的MESH OVERLAY III系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直DMOS结构，其核心在于优化了单元密度与沟道设计，实现了极低的单位面积导通电阻。这种架构通过精细的栅极布局和低电荷载流子注入技术，在保证高电流处理能力的同时，显著降低了开关损耗和栅极驱动需求，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的突出特性体现在其卓越的电气性能上。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、40A漏极电流条件下，典型值仅为11毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为50nC，结合适中的输入电容，意味着器件具备快速的开关速度和较低的驱动功率需求，有利于提升开关频率并简化驱动电路设计。高达80A的连续漏极电流（Tc）和33V的漏源击穿电压，使其能够从容应对大电流、中低电压的应用环境。

在接口与参数方面，STP75NS04Z采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的散热处理方案，便于安装在散热器上以实现高达110W（Tc）的功率耗散。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其低导通电阻、快速开关能力和高电流承载特性，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流和功率转换模块、电动工具及无人机中的电机驱动与调速控制，以及各类工业电源和UPS系统中的高频开关和负载开关。在这些领域，它能够有效提升系统整体能效，减少散热负担，并增强功率级的可靠性。

• 型号:STP75NS04Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 33V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:33 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:箝位
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1860 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP75NS04Z是ST意法半导体MESH OVERLAY III系列的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于极低的导通阻抗与优化的开关特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至11毫欧（@40A），栅极电荷（Qg）最大值仅为50nC，这共同确保了器件在高电流工况下具备出色的导通效率与快速的开关响应。

该器件额定漏源电压（Vdss）为33V，在壳温（Tc）条件下可支持高达80A的连续漏极电流，最大功率耗散为110W。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）使其能够适应苛刻的环境要求。这些参数使其成为中低电压、大电流功率处理应用的理想选择，尤其注重损耗与热管理的设计。