STP76NF75

STP76NF75是ST意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220通孔封装，其核心架构通过优化的单元设计和工艺制程，在硅片层面实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的出色平衡。这种设计旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体能效，是高效功率转换和电机控制应用的理想选择。

该器件具备75V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达80A的连续漏极电流（I_D）能力，展现出强大的功率处理性能。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压（V_GS）和40A漏极电流条件下，典型值仅为11毫欧，这直接转化为更低的导通压降和发热量。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值控制在160nC，配合±20V的宽栅源电压范围，确保了快速、高效的开关切换，并简化了栅极驱动电路的设计。对于需要可靠元器件供应的设计者，可以通过授权的ST代理商获取该产品。

在电气参数方面，STP76NF75的阈值电压（V_GS(th)）典型值为4V，提供了良好的噪声免疫性。其输入电容（C_iss）为3700pF，是评估开关速度的重要参考。器件支持高达300W的功率耗散（基于壳温），并拥有宽广的结温工作范围（-55°C至175°C），确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。标准的TO-220封装提供了优异的散热性能和便捷的机械安装方式。

凭借其高电流处理能力、低导通损耗和快速开关特性，STP76NF75非常适合应用于各类中高功率场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或同步整流、电机驱动控制器（如无刷直流电机或步进电机驱动）、DC-DC转换器以及各类需要高效功率开关的工业设备和汽车电子系统。其稳健的设计使其成为追求高效率、高功率密度和长期可靠性的工程师的优选功率开关解决方案。

• 型号:STP76NF75
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP76NF75是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件核心优势在于其出色的电气参数平衡，提供75V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流处理能力。

其关键卖点是极低的导通电阻（典型值11mΩ @ 10V， 40A）与适中的栅极电荷（最大值160nC @ 10V）相结合，这有效降低了功率传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。宽广的工作结温范围（-55°C至175°C）和300W的功率耗散能力，确保了其在 demanding 应用环境下的高可靠性。