STP77N6F6

STP77N6F6是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。该器件基于先进的STripFET VI技术和DeepGATE工艺平台构建，旨在实现极低的导通损耗和优异的开关性能。其核心设计优化了单元密度与沟道电阻的平衡，通过精细的沟槽栅极结构，在保持高输入电容可控性的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），这为高电流开关应用提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的突出特性在于其高达77A的连续漏极电流（Tc=25°C）和仅7毫欧（@38.5A, 10V）的最大导通电阻。低Rds(on)直接转化为更低的导通状态功率损耗，提升了系统的整体能效。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，最大栅源电压（Vgs）为±20V，而典型的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了驱动的便利性与可靠性。此外，在10V驱动电压下，其最大栅极电荷（Qg）为76nC，结合5300pF的输入电容，意味着它需要适中的驱动电流，有助于简化栅极驱动电路的设计并控制开关损耗。

在电气参数方面，STP77N6F6具备60V的漏源击穿电压（Vdss），适用于常见的48V及以下总线电压系统。其结温（TJ）工作范围宽广，从-55°C延伸至175°C，结合TO-220封装良好的热传导特性，在配备适当散热器的情况下，可实现高达80W（Tc）的功率耗散能力，保证了器件在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术资料与库存信息。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和稳健的封装，这款器件非常适合于对效率和功率密度有较高要求的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的同步整流和初级侧开关、电机驱动控制、DC-DC转换器以及各类工业领域的功率管理和负载开关。其设计平衡了性能与成本，是构建高效、紧凑型功率电子系统的关键组件之一。

• 型号:STP77N6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 77A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):77A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 38.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:76 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP77N6F6是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。该器件基于STripFET VI和DeepGATE技术，核心优势在于其出色的电流承载与低损耗特性，在25°C壳温下连续漏极电流高达77A，并在10V驱动电压、38.5A电流条件下提供仅7毫欧的最大导通电阻，能显著降低导通状态下的功率损耗。

其电气规格包括60V的漏源电压额定值，最大栅极电荷为76nC @ 10V，栅源阈值电压最大为4V。宽广的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）与80W的功率耗散能力，确保了其在苛刻环境下的可靠性。这些特性使其成为高效率电源转换、电机驱动和工业功率控制等应用的理想选择。