STP7N105K5

作为ST意法半导体SuperMESH5功率MOSFET产品家族的一员，STP7N105K5是一款采用先进垂直DMOS工艺制造的N沟道增强型功率开关器件。其核心架构基于优化的单元设计，通过第五代SuperMESH技术实现了极低的单位面积导通电阻与高击穿电压的出色平衡。这种技术显著降低了传导损耗，同时增强了器件的雪崩耐量和开关鲁棒性，使其在高压、高频应用中的可靠性得到保障。

该器件具备一系列卓越的功能特性。其漏源击穿电压高达1050V，为离线式开关电源、功率因数校正等高压场合提供了充足的安全裕量。在导通特性方面，在10V驱动电压、2A漏极电流条件下，其导通电阻典型值仅为2欧姆，有效减少了功率耗散。此外，其栅极总电荷（Qg）典型值低至17nC，结合380pF的输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于提升系统整体效率。其栅源电压耐受范围宽达±30V，增强了驱动电路的灵活性。

在接口与关键参数上，STP7N105K5采用经典的TO-220通孔封装，便于安装散热器，其结壳热阻特性支持高达110W的功率耗散能力（基于壳温）。器件在25°C壳温下连续漏极电流额定值为4A，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V，具备良好的噪声免疫能力。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高压、低导通电阻和快速开关的优异组合，这款MOSFET非常适合应用于要求高效率和高可靠性的领域。典型应用场景包括工业级开关模式电源的初级侧开关、照明系统的电子镇流器、电机驱动辅助电源以及UPS不间断电源系统中的功率转换部分。其坚固的设计也使其能够胜任电感性负载切换等具有一定挑战性的任务，是工程师设计高性能高压功率电路的理想选择之一。

• 型号:STP7N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 4A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP7N105K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的SuperMESH5技术系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于高达1050V的漏源击穿电压与低至2欧姆的导通电阻的出色结合，这显著降低了高压条件下的传导损耗。

器件采用TO-220封装，在25°C壳温下额定连续漏极电流为4A，最大功耗可达110W。其开关性能经过优化，栅极电荷低至17nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境下的稳定性和可靠性，适用于要求严苛的工业电源与功率转换系统。