STP7N52K3

STP7N52K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和第三代超级结技术，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心设计旨在有效管理高电压下的电场分布，从而在525V的额定漏源电压（Vdss）下，依然能保持稳健的电气性能和可靠性，为高压开关应用提供了坚实的物理基础。

在电气特性方面，该MOSFET展现出针对高效能开关优化的多项特点。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、3.1A电流条件下典型值仅为980毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在34nC（@10V），结合737pF的输入电容（Ciss），意味着器件具备较快的开关速度，能够减少开关过渡期间的损耗，并降低对驱动电路的要求。高达±30V的栅源电压（Vgs）容限为驱动设计提供了额外的鲁棒性保障。

该器件封装于标准的TO-220AB通孔封装中，这种封装形式具有良好的机械强度和散热能力，其结到外壳的热阻特性支持高达90W（Tc）的功率耗散。结合150°C的最大工作结温（TJ），ST芯片代理可以为客户提供可靠的货源和技术支持，确保器件在严苛环境下的稳定运行。其6A（Tc）的连续漏极电流额定值，使其能够胜任中等功率等级的能量传输与控制任务。

凭借525V的高耐压和优化的开关特性，STP7N52K3非常适用于需要高压离线式操作的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧功率开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源等。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的技术思路和性能参数，对于理解高压MOSFET的选型与替代方案仍具有重要的参考价值。

• 型号:STP7N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 6A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:980 毫欧 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:737 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP7N52K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-220AB通孔封装，核心额定参数为525V漏源电压（Vdss）和6A连续漏极电流（Id），专为高压、高效开关应用而设计。

其技术优势在于实现了低导通损耗与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至980毫欧，有助于减少导通状态功耗。同时，较低的栅极电荷（34nC）和输入电容支持快速的开关速度，有利于提升系统频率并降低开关损耗。器件支持高达150°C的结温工作，并具备±30V的宽栅极电压容限，确保了设计的稳健性与可靠性。