STP7NK30Z

STP7NK30Z是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的TO-220AB通孔封装。该器件隶属于ST先进的SuperMESH产品系列，这一系列通过优化的单元结构和工艺技术，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心架构基于平面MOSFET技术，通过精细的沟道设计和电场管理，确保了在高压工作条件下的可靠性与稳定性。

在功能特性方面，该器件展现出强大的性能。其漏源击穿电压（Vdss）高达300V，使其能够从容应对开关电源中的高压应力环境。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）额定值为5A，提供了可观的电流处理能力。一个关键的性能指标是其导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动电压和2.5A漏极电流条件下，最大值仅为900毫欧，这直接关系到导通状态下的功率损耗，较低的Rds(on)有助于提升系统整体效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在13nC（@10V），较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于高频开关应用尤为重要。

从接口与电气参数来看，STP7NK30Z设计为标准的三引脚TO-220AB封装，便于安装和散热。其栅极驱动电压（Vgs）范围为±30V，而开启阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V（@50A），确保了与常见逻辑电平或PWM控制器良好的兼容性。在热性能方面，器件最大功率耗散为50W（Tc），结合TO-220封装良好的热传导特性，能够有效管理工作中产生的热量。其宽广的结温工作范围（-55°C至150°C）也保证了其在严苛环境下的适应性。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取相关服务与产品信息。

基于其300V的耐压、5A的电流能力以及SuperMESH技术带来的低导通损耗和开关损耗，该器件非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制以及高频DC-DC转换器等场景。在这些应用中，它能够作为高效的功率开关元件，帮助系统实现高功率密度和可靠的性能输出。

• 型号:STP7NK30Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP7NK30Z是意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于高达300V的漏源击穿电压（Vdss）与低至900毫欧（@10V， 2.5A）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这得益于先进的SuperMESH技术，有效优化了高压下的导通损耗。

该器件在25°C壳温下可连续通过5A电流，最大功率耗散为50W。其栅极电荷（Qg）典型值较低，有利于实现快速的开关切换，降低驱动损耗。宽广的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性，适用于要求严苛的功率开关场合。