STP80N10F7

STP80N10F7是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VII技术平台与DeepGATE工艺制造。该器件在TO-220封装内集成了卓越的功率处理能力与开关特性，其核心架构通过优化单元密度和沟道设计，在保证高耐压的同时，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而实现了高效率与低损耗的平衡。

该MOSFET具备100V的漏源击穿电压（Vdss）和高达80A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够承受严苛的功率环境。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、40A电流条件下典型值仅为10毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和发热量，提升了系统的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在45nC（@10V），结合±20V的宽栅源电压范围，确保了快速、干净的开关切换，有利于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

在电气参数方面，STP80N10F7展现了全面的鲁棒性。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，提供了良好的噪声抑制能力。最大输入电容（Ciss）为3100pF，与低栅极电荷共同优化了开关动态性能。器件在管壳温度（Tc）下的最大功率耗散为110W，结温（TJ）工作范围覆盖-55°C至175°C，确保了在宽温范围内的可靠运行。标准的TO-220通孔封装提供了优异的散热路径和机械强度，便于安装和热管理。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和快速开关特性，这款器件非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、电机驱动与控制系统中的H桥或半桥拓扑、DC-DC转换器以及各类工业级功率开关和逆变器。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取该产品及相关设计资源。

• 型号:STP80N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP80N10F7是ST意法半导体基于STripFET VII技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于100V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流承载能力，结合极低的10毫欧导通电阻（@10V，40A），能够显著降低功率应用中的传导损耗。

该器件同时具备优化的开关性能，最大栅极电荷仅为45nC，有助于实现高效率的快速开关操作，减少开关损耗。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和110W的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的高可靠性。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和DC-DC转换等中高功率密度应用的理想选择。