STP80NE06-10

STP80NE06-10是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于经典的TO-220AB通孔封装中。其核心架构基于硅基半导体工艺，通过优化单元设计和制造流程，旨在实现高电流处理能力与低导通损耗之间的平衡。该器件内部集成了源极、漏极和栅极，其导电沟道由栅极电压控制，这种结构使其非常适合作为高效的电子开关使用。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达60V，确保了在多种中压应用中的可靠工作。最显著的优势在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压和40A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为10毫欧，这直接转化为更低的导通状态功率损耗和更高的整体效率。同时，器件在壳温（Tc）条件下可支持高达80A的连续漏极电流，并具备150W的最大功率耗散能力，展现了强大的功率处理与散热性能。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，而栅极电荷（Qg）在10V条件下最大为140nC，这些参数共同影响着开关速度与驱动电路的设计复杂度。

在接口与参数方面，该器件采用标准的三引脚TO-220AB封装，便于安装和散热。其驱动电压（Vgs）范围为±20V，为栅极驱动设计提供了安全裕度。输入电容（Ciss）在25V漏源电压下最大为10000pF，这是评估开关动态性能的重要参数。器件的工作结温（Tj）最高可达175°C，保证了在高温环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST中国代理获取相关的技术支持和库存信息。

凭借其高电流、低导通电阻和稳健的封装特性，STP80NE06-10非常适用于对效率和功率密度有要求的场合。典型的应用场景包括开关模式电源（SMPS）中的初级或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制电路（如电动工具、风扇控制器）、DC-DC转换器以及各类需要高效功率开关的工业控制和汽车电子系统。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数在同类应用中仍具有重要的参考价值。

• 型号:STP80NE06-10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:140 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP80NE06-10的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP80NE06-10是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装。其核心卖点在于优异的电流处理能力和极低的导通损耗，在壳温条件下支持高达80A的连续漏极电流，同时其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动下最大值仅为10毫欧，这显著降低了导通期间的功率耗散。

该器件具备60V的漏源电压（Vdss）额定值，适用于中压应用环境。其最大栅极电荷（Qg）为140nC，结合175°C的最高工作结温，确保了在要求苛刻的功率开关场景中，如电源转换和电机驱动，能够实现可靠且高效的操作。