STP8NK80ZFP

STP8NK80ZFP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心在于SuperMESH技术，该技术通过特殊的掺杂和结构设计，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的动态特性，为高压开关应用提供了高效的解决方案。

该MOSFET的突出特性在于其800V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）电路等场合中常见的电压应力和尖峰。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻最大值仅为1.5欧姆（测试条件为3.1A），较低的Rds(on)直接转化为更低的导通损耗，提升了系统整体效率。其栅极电荷（Qg）典型值较低，有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计。此外，器件支持高达±30V的栅源电压，提供了较强的抗干扰能力。

在电气参数上，STP8NK80ZFP在壳温（Tc）条件下可承受6.2A的连续漏极电流，最大功耗为30W。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了与标准逻辑电平或PWM控制器良好的兼容性。输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，有利于实现快速、干净的开关动作。该器件采用TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，其“FP”（全塑封）设计意味着引脚与散热片之间是电气隔离的，这为系统设计带来了便利，无需额外的绝缘垫片，简化了散热器安装并提升了热传导效率。其结温工作范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。

凭借其高耐压、低导通损耗和良好的开关性能，STP8NK80ZFP非常适用于需要高效能和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）、照明镇流器、电机驱动辅助电源以及工业控制系统的功率转换部分。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。其稳健的设计和宽泛的工作温度范围，使其成为工程师在构建面向工业与消费电子领域的中高功率电源解决方案时的优选功率开关器件。

• 型号:STP8NK80ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STP8NK80ZFP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP8NK80ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于结合了800V的高漏源电压（Vdss）与低至1.5欧姆的导通电阻（Rds(on)），这使其在高压应用中能有效降低导通损耗，提升能效。

其电气参数设计兼顾性能与易用性，在壳温下连续漏极电流可达6.2A，栅极阈值电压典型值适于标准驱动，且最大栅源电压耐受范围达±30V。采用TO-220FP全塑封隔离封装，便于散热器安装并增强绝缘安全性。这些特性使其成为开关电源、功率因数校正、工业电源等高压开关应用的可靠选择。