STP90N4F3

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STP90N4F3是一款采用N沟道设计的功率MOSFET，隶属于其先进的STripFET III产品系列。该器件基于成熟的平面MOSFET技术，通过优化的单元结构和制造工艺，在硅片层面实现了卓越的功率密度与电气性能平衡。其核心设计旨在最大限度地降低导通损耗和开关损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、40A漏极电流条件下，Rds(ON)典型值仅为6.5毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，使得器件在高电流应用中能够显著减少发热。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在54nC，结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关转换，降低开关过程中的能量损失，并简化栅极驱动电路的设计。其漏源电压（Vdss）额定为40V，连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达80A，展现了强大的电流处理能力。

在电气参数方面，STP90N4F3的栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫性。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的范围，提供了较为宽裕的驱动安全余量。器件采用经典的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器，其最大功率耗散为110W（Tc），结温（Tj）工作范围覆盖-55°C至175°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。需要指出的是，该产品目前已处于停产状态，在选型时需考虑供应链的替代方案，用户可通过正规的ST一级代理获取最新的产品生命周期信息与替代型号建议。

凭借其低导通电阻、快速开关特性和稳健的封装，该器件非常适用于对效率和功率密度有较高要求的DC-DC转换器、电机驱动控制器以及各类电源管理模块中。例如，在同步整流、电机H桥驱动或大电流负载开关等应用场景中，它能有效提升系统能效，减少散热设计压力，是工业控制、汽车电子及高性能计算电源等领域的经典功率开关解决方案之一。

• 型号:STP90N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP90N4F3是ST意法半导体STripFET III系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、40A Id条件下典型值仅为6.5mΩ，能够显著降低高电流应用中的传导损耗。

该器件额定漏源电压（Vdss）为40V，连续漏极电流（Id）高达80A（Tc），并具备54nC的低栅极电荷（Qg），支持快速开关操作，有助于提升开关电源和电机驱动电路的效率。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。