STP90N6F6

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STP90N6F6是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件，隶属于其先进的STripFET VI产品系列，并应用了DeepGATE技术。该器件采用经典的TO-220通孔封装，专为高效率、高功率密度的开关应用而设计。其核心架构通过优化单元密度和沟道设计，在保持高耐压能力的同时，显著降低了导通损耗和开关损耗，为系统提供了优异的电气性能基础。

在功能特性上，STP90N6F6的突出优势在于其极低的导通电阻。在10V栅极驱动电压和38.5A漏极电流条件下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为6.8毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的整体效率。同时，其栅极电荷（Q_g）被控制在74.9nC（@10V）的水平，结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失，并简化了栅极驱动电路的设计。对于寻求可靠货源和全面技术支持的客户，通过授权的ST一级代理进行采购是确保产品正品与供应链稳定的重要途径。

该芯片的接口与关键电气参数定义了其稳健的工作范围。其漏源极额定电压（V_DSS）为60V，在壳温（T_C）条件下连续漏极电流（I_D）可达84A，最大功耗为136W，确保了其在严苛环境下的高电流处理能力。其栅源阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，而栅源电压（V_GS）可承受±20V的极限值，提供了良好的噪声抑制能力和驱动安全性。高达175°C的最大结温（T_J）进一步保证了器件在高温环境下的可靠运行。

基于上述技术特点，STP90N6F6非常适用于对效率和功率密度有较高要求的各类中压功率转换场景。典型应用包括服务器和通信设备的开关电源（SMPS）中的同步整流和初级侧开关、电机驱动与控制电路（如电动工具、工业电机）、DC-DC转换器以及不间断电源（UPS）系统。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和卓越的性能参数，使其在诸多现有设备和备件市场中依然具有重要的参考和应用价值。

• 型号:STP90N6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 84A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):84A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.8 毫欧 @ 38.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:74.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4295 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP90N6F6是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心卖点在于结合了60V的漏源电压（Vdss）与极低的导通电阻，在10V Vgs、38.5A Id条件下，Rds(on)最大值仅为6.8毫欧，这为高电流应用提供了卓越的导电效率和更低的热损耗。

该器件属于STripFET VI系列，应用了DeepGATE技术，在壳温（Tc）条件下可支持高达84A的连续漏极电流和136W的功率耗散。其栅极电荷（Qg）典型值为74.9nC，有助于实现快速开关，提升系统整体频率响应。这些特性使其非常适合用于高效率的电源转换和电机驱动等功率开关场景。