STP95N3LLH6

STP95N3LLH6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VI技术和DeepGATE工艺平台构建。该器件在硅片层面进行了深度优化，通过精细的单元结构和沟槽栅设计，在单位面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与优异的电荷特性平衡。这种架构的核心优势在于显著降低了传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的突出特性体现在其卓越的电气性能上。其最大导通电阻在10V栅极驱动电压、40A漏极电流条件下仅为4.7毫欧，这一极低的R_DS(on)值直接转化为更低的通态压降和发热量，提升了系统整体能效。同时，其栅极总电荷（Q_g）典型值较低，在4.5V驱动电压下约为20nC，这意味着器件所需的驱动能量小，开关速度快，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。其栅源阈值电压（V_GS(th)）最大值为2.5V，与标准逻辑电平兼容性良好，便于由微控制器或标准驱动IC直接控制。

在接口与关键参数方面，STP95N3LLH6设计有30V的漏源击穿电压（V_DSS），适用于常见的低压应用环境。在壳温（T_C）条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达80A，峰值电流处理能力强。器件采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的散热安装方式，其最大结温（T_J）为175°C，确保了在高温环境下的可靠工作。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取相关服务与产品信息。

基于其高性能参数，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括低压大电流的DC-DC转换器、同步整流电路、电机驱动控制（如电动工具、无人机电调）、电池保护开关以及各类电源管理模块。其优异的R_DS(on)与Q_g折衷特性，使其在开关频率和传导损耗之间能达到良好平衡，是设计紧凑、高效能功率系统的优选功率开关元件之一。

• 型号:STP95N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.7 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP95N3LLH6是ST意法半导体基于STripFET VI技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。该器件核心优势在于其极低的导通电阻，在10V V_GS、40A I_D条件下，R_DS(on)最大值仅为4.7mΩ，能够显著降低传导损耗，提升系统效率。

同时，其栅极电荷（Q_g）较低，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。器件额定参数为30V V_DSS和80A连续漏极电流（T_C条件下），结温高达175°C，具备强大的电流处理能力和高温工作可靠性，适用于要求严苛的功率开关应用。