STP9NK60Z

STP9NK60Z是ST意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺架构，通过优化的单元结构和外延层设计，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。其核心在于实现了600V高漏源击穿电压（Vdss）与低导通电阻（Rds(on)）之间的出色平衡，这是评估高压MOSFET性能的关键指标。这种架构确保了器件在关断状态下能承受高压应力，在导通时则呈现较低的功率损耗。

得益于SuperMESH技术的加持，该MOSFET展现出卓越的开关性能与能效。其最大导通电阻仅为950毫欧（在3.5A，10V条件下），这直接转化为更低的导通损耗，有助于提升系统整体效率并减少散热需求。同时，器件具有优化的栅极电荷特性，最大栅极电荷（Qg）为53nC，结合10V的标准驱动电压，使得开关过程迅速且驱动电路的设计更为简化，有助于降低开关损耗并提升工作频率。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±30V，提供了良好的抗干扰能力和驱动安全性。

在电气参数方面，STP9NK60Z在25°C壳温（Tc）下的连续漏极电流（Id）额定值为7A，最大功率耗散能力达125W（Tc），展现了强大的电流处理与散热潜力。其阈值电压Vgs(th)最大为4.5V，确保了良好的噪声抑制能力。输入电容（Ciss）最大值为1110pF，这些动态参数共同决定了器件的开关速度与驱动需求。该器件采用工业标准的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器，其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）保证了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。对于需要可靠元器件供应的设计者而言，通过正规的ST代理商进行采购是确保产品正品与稳定供货的重要途径。

凭借其高电压、低损耗及高可靠性的特点，STP9NK60Z非常适用于需要高效功率转换与控制的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器、照明镇流器以及不同断电源（UPS）系统。在这些应用中，它能够有效提升能效等级，减小系统体积与热设计复杂度，是工程师实现高性能、高可靠性电源与驱动设计的优选功率开关器件。

• 型号:STP9NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1110 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP9NK60Z的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP9NK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心规格为600V漏源电压（Vdss）和7A连续漏极电流（Id），采用TO-220AB通孔封装，专为高效功率开关应用而设计。

其技术亮点在于通过SuperMESH技术实现了优异的性能平衡：在保持高击穿电压的同时，将导通电阻（Rds(on)）显著降低至950毫欧（最大值），这直接减少了导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg最大53nC）确保了快速的开关特性，有助于提升系统工作效率并简化驱动电路设计。

该器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散为125W，具备高可靠性和鲁棒性，非常适用于开关电源、电机驱动、PFC及照明等高压、高频的功率转换场景。