STP9NM40N

STP9NM40N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶硅上实现了卓越的电荷平衡，其核心优势在于显著降低了单位芯片面积下的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）的乘积，即优值系数（FOM）。这一架构革新使得器件在高速开关应用中能够同时兼顾低导通损耗与低开关损耗，提升了整体能效。

该MOSFET具备400V的漏源击穿电压（V_DSS），为其在离线式开关电源的初级侧应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为5.6A，最大功耗为60W，展现了良好的电流处理与功率耗散能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、2.5A漏极电流条件下典型值仅为790毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的通态压降和导通损耗。此外，极低的栅极电荷（Q_G）最大值仅为14nC @ 10V，配合365pF的输入电容（C_iss），意味着驱动电路所需的充电能量更小，能够实现更快的开关速度并降低栅极驱动损耗，特别适合高频开关工作模式。

器件的栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，标准驱动电压为10V，最大栅源电压可承受±25V，提供了宽裕且安全的驱动窗口。其结温（T_J）最高可工作至150°C，确保了在高温环境下的稳定运行。采用经典的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的散热处理方案，便于安装在散热器上以优化热管理。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取该产品的详细信息与库存服务。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关的特性组合，STP9NM40N非常适用于需要高效电能转换的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧功率开关、功率因数校正（PFC）电路、高频逆变器以及电子镇流器等。尽管其零件状态已标注为停产，意味着已进入产品生命周期末期，但其成熟的设计和稳定的性能使其在诸多现有设备和备件市场中仍具参考价值，工程师在为新设计选型时可参考其技术参数，并转向ST意法半导体推荐的后续替代产品。

• 型号:STP9NM40N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 5.6A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:790 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:365 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP9NM40N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，属于其高性能MDmesh II系列。该器件核心规格为400V漏源电压（V_DSS）和5.6A连续漏极电流（I_D），为离线电源应用提供了坚实的电压与电流基础。

其技术亮点在于优异的动态性能平衡：790毫欧的低导通电阻（R_DS(on)）确保了低通态损耗，而仅14nC的栅极电荷（Q_G）则有利于实现高速开关并降低驱动损耗。这些特性使其在要求高效率与高频率的开关电源拓扑中表现出色，例如作为初级侧主开关管或用于功率因数校正电路。