STP9NM50N

STP9NM50N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在高压条件下实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心设计旨在降低开关损耗，提升功率转换效率，尤其适用于需要高耐压和中等电流处理能力的开关应用。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压(Vdss)和5A的连续漏极电流(Id)能力，为高压开关提供了可靠的电气隔离。其导通电阻(Rds(on))在10V栅极驱动电压和3.7A漏极电流条件下典型值仅为560毫欧，这一特性有效降低了器件在导通状态下的功率损耗。同时，最大栅极电荷(Qg)仅为20nC，结合570pF的输入电容(Ciss)，意味着器件具有快速的开关速度，有助于减少开关过程中的能量损失，提升系统整体效率。其栅源电压(Vgs)最大耐受值为±25V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在接口与热管理方面，STP9NM50N采用标准的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器以实现高效的热传导。器件在壳温(Tc)条件下的最大功率耗散为70W，结合-55°C至150°C的宽结温(TJ)工作范围，确保了其在严苛环境下的稳定性和鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST中国代理获取相关的技术资料与库存信息。

凭借其高压、低损耗的特性，该器件主要面向离线式开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路、照明镇流器以及电机驱动等应用领域。在这些场景中，其优异的开关性能和热特性有助于设计出更紧凑、更高效的电源转换解决方案。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过市场验证的可靠性，使其在特定存量或对成本敏感的设计中仍具参考价值。

• 型号:STP9NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:560 毫欧 @ 3.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:570 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP9NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于MDmesh产品系列。该器件核心特性包括500V的高漏源电压(Vdss)和5A的连续漏极电流(Id)额定值，适用于高压开关环境。

其技术优势体现在较低的导通电阻（典型值560mΩ @ 10V, 3.7A）与极低的栅极电荷（最大20nC），这共同优化了导通损耗与开关速度，有助于提升系统能效。器件采用TO-220AB封装，最大功耗70W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了良好的热性能和可靠性。