STPLED627

STPLED627是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于工业标准的TO-220通孔封装中。该器件基于优化的单元结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡，其核心在于通过先进的工艺控制，在保证620V高漏源击穿电压（Vdss）的同时，有效降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)）。

在电气特性方面，该器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值较低，当漏极电流为2.8A时，Rds(on)最大值仅为1.2欧姆，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值控制在35nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），意味着它所需的驱动能量较小，有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗，特别适合在中等频率的开关应用中工作。高达7A的连续漏极电流（Tc）与90W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在持续高负载下的可靠性与热稳定性，最高结温（Tj）可达150°C。

该MOSFET的接口特性清晰明确，其栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，提供了充足的驱动安全裕量；阈值电压Vgs(th)最大值在漏极电流仅为50A时为4.5V，具备良好的噪声抑制能力。这些参数共同定义了其稳健的开关行为。对于需要可靠供货与技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理渠道进行采购与咨询。

凭借620V的耐压等级和优异的导通特性，STPLED627非常适用于需要高效功率转换与控制的离线式应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动器的功率级，以及电机驱动、继电器替代等工业控制领域。其TO-220封装形式兼顾了良好的散热性能与通孔安装的便利性，是工程师在构建高性价比、高可靠性功率电子系统时的理想选择。

• 制造商产品型号：STPLED627
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 620V 7A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：620V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：890pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：90W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
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STPLED627是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。该器件核心优势在于其620V的高漏源电压（Vdss）与7A的连续漏极电流（Id）能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。

其电气参数表现出色，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.2欧姆（@2.8A），有效降低了导通损耗。同时，最大35nC的低栅极电荷（Qg）有助于实现高效的开关性能并简化驱动设计。器件支持高达90W（Tc）的功率耗散，工作结温可达150°C，确保了在严苛环境下的长期运行可靠性。