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STPS1L20M

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A STMITE
原厂封装:封装:STmite(DO-216AA)
优势价格,STPS1L20M的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STPS1L20M的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STPS1L20M是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能表面贴装肖特基势垒整流二极管,采用紧凑的DO-216AA(STmite)封装。该器件基于优化的金属-半导体结工艺,其核心架构旨在实现极低的正向压降与快速的开关特性。肖特基二极管的结构避免了传统PN结二极管中少数载流子的存储效应,这从根本上决定了其在反向恢复性能上的显著优势,使其特别适用于高频开关环境。

该二极管在1A正向电流下的典型正向压降仅为430mV,这一极低的Vf值能有效减少导通状态下的功率损耗,提升系统整体能效。其反向重复峰值电压为20V,适用于常见的低电压电路保护与整流场景。在反向特性方面,其在20V反向电压下的漏电流典型值仅为75A,表现出良好的反向阻断能力。其开关速度属于快速恢复类型,反向恢复时间极短,这使其在高达数百千赫兹的开关频率下仍能保持稳定的性能,有效抑制由二极管反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰(EMI)。

在接口与参数层面,STPS1L20M设计为表面贴装型,其STmite封装符合自动化贴装生产要求,有助于节省PCB空间并降低组装成本。其额定平均整流电流为1A,能够满足大多数便携式设备和模块电源的电流需求。工程师在选型时,除了关注其电压与电流额定值,其低正向压降和快速恢复特性是评估其在目标电路中功耗与噪声表现的关键参数。对于需要可靠供货与技术支持的客户,可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

得益于其高效能与小尺寸的平衡,该器件广泛应用于空间受限且对效率敏感的场景。典型应用包括直流-直流(DC-DC)转换器中的输出整流、电源反接保护、低压差线性稳压器(LDO)的旁路二极管,以及各类消费电子产品、通信模块和便携式设备中的低压电源管理电路。其快速开关特性也使其适用于高频逆变和续流二极管应用,是提升现代电子设备功率密度和可靠性的优选元件之一。

  • 型号:STPS1L20M
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:STmite(DO-216AA)
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A STMITE
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 1 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:75 A @ 20 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:DO-216AA
  • 供应商器件封装:STmite(DO-216AA)
  • 工作温度 - 结:150°C(最大)
  • 想获取STPS1L20M的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STPS1L20M是ST意法半导体生产的一款表面贴装肖特基整流二极管,采用DO-216AA(STmite)封装。其核心优势在于极低的正向导通压降(典型值430mV @ 1A)与快速的开关恢复特性,能显著降低导通损耗并适应高频工作环境。

该器件额定反向电压为20V,平均整流电流为1A,在20V反向电压下的漏电流典型值仅为75A,确保了高效的电能转换与良好的反向阻断性能。这些参数使其成为空间紧凑、要求高效率的DC-DC转换、电源保护及低压整流等应用的理想选择。

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