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STPS1L30MF

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE SCHOTTK 30V 1A STMITE FLAT
原厂封装:封装:STmite 扁平
优势价格,STPS1L30MF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STPS1L30MF的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STPS1L30MF是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款采用表面贴装封装的高性能肖特基势垒整流二极管。该器件采用先进的半导体工艺制造,其核心架构基于金属-半导体结原理,相较于传统的PN结整流二极管,肖特基结构在正向导通时具有更低的多子导电压降,这一物理特性是其实现优异性能的基础。其内部结构针对低功耗和高效率应用进行了优化,确保了在紧凑的封装内实现可靠的电气性能。

该二极管的核心优势在于其极低的正向压降,在1A的额定正向电流下,典型正向压降仅为390mV。这一特性直接转化为更低的导通损耗,对于提升系统整体效率、减少发热至关重要。同时,作为一款快速恢复二极管,其开关速度极快,反向恢复时间短,能够有效抑制高频开关过程中产生的电压尖峰和振荡,减少开关噪声,提升电路的电磁兼容性(EMC)性能。其反向漏电流在30V反向电压下典型值为390A,处于较低水平,有助于降低待机功耗。

在接口与关键参数方面,STPS1L30MF定义了明确的工作边界:最大反向重复电压为30V,平均整流输出电流为1A。它采用STmite扁平(DO-222AA)表面贴装封装,这种封装形式具有优异的热性能和紧凑的占板面积,非常适合高密度PCB设计。其快速恢复特性(通常小于500ns)使其能够胜任频率较高的开关应用。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过ST中国代理获取产品、数据手册以及相关的设计资源。

基于其低Vf、快速开关和SMD封装的特点,该器件广泛应用于各类需要高效整流的场景。典型应用包括开关电源(SMPS)的次级侧整流、直流-直流(DC-DC)转换器的输出整流、电池反接保护电路以及作为续流二极管用于继电器、电机等感性负载的钳位保护。在便携式设备、消费电子、工业控制模块及汽车辅助电子系统中,它都是实现高效能、小体积电源解决方案的理想选择。

  • 型号:STPS1L30MF
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:STmite 扁平
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SCHOTTK 30V 1A STMITE FLAT
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):390 mV @ 1 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:390 A @ 30 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:DO-222AA
  • 供应商器件封装:STmite 扁平
  • 工作温度 - 结:150°C(最大)
  • 想获取STPS1L30MF的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STPS1L30MF是STMicroelectronics生产的一款表面贴装肖特基整流二极管,采用STmite扁平(DO-222AA)封装。其核心电气参数针对高效率应用设计,最大反向电压30V,平均整流电流1A,并在1A电流下实现仅390mV的典型低正向压降,能显著降低导通损耗。

该器件具备快速恢复特性,开关速度快,有助于减少高频开关噪声和电压尖峰,提升系统EMC性能。其紧凑的SMD封装适合高密度PCB布局,结合低功耗与快速响应特点,使其成为各类电源转换和电路保护应用的优选元器件。

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