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STPS30H100DJF-TR的图片

STPS30H100DJF-TR

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE SCHOTTK 100V 30A POWERFLAT
原厂封装:封装:PowerFlat(5x6)
优势价格,STPS30H100DJF-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STPS30H100DJF-TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为一款高性能的功率肖特基整流器,STPS30H100DJF-TR采用了意法半导体先进的功率半导体工艺技术进行制造。其核心架构基于优化的肖特基势垒金属-半导体结,该设计在保证高反向击穿电压的同时,显著降低了正向导通压降和开关损耗。器件内部集成于一个紧凑的PowerFlat封装内,通过优化的芯片布局和封装热设计,实现了优异的电流承载能力和热管理性能,这对于高功率密度应用至关重要。

该器件在功能上表现出色,其100V的最大反向电压30A的平均整流电流能力,使其能够胜任苛刻的功率处理任务。尤为突出的是其极低的正向导通压降,在30A的满额电流下,正向压降仅为840mV,这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时,它具备快速恢复特性,反向恢复时间极短,这有效减少了开关过程中的电压尖峰和开关损耗,使其在高速开关电路中表现优异。其反向漏电流在100V反向电压下被控制在极低的6A水平,确保了在关断状态下的高阻断能力和低静态功耗。

在接口与参数方面,该芯片采用表面贴装技术,封装形式为8-PowerVDFN,具体为PowerFlat(5x6)。这种封装不仅提供了紧凑的占板面积,其裸露的焊盘设计还极大地优化了热传导路径,便于将芯片产生的热量高效地传递至PCB铜层和散热器,从而提升系统的长期可靠性。其电气参数,如低Vf、高Vr、快速恢复和低漏电流,共同定义了一个高效、可靠的功率开关解决方案。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST一级代理进行采购和咨询。

基于其强大的性能组合,STPS30H100DJF-TR非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。典型应用包括开关模式电源(SMPS)中的次级侧整流、直流-直流转换器的输出整流、电机驱动电路中的续流二极管,以及太阳能逆变器、工业电源和汽车电子系统中的功率转换与保护电路。其快速恢复特性使其在高频PWM应用中游刃有余,而高电流和低损耗特性则是提升终端产品整体能效的关键。

  • 型号:STPS30H100DJF-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:PowerFlat(5x6)
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SCHOTTK 100V 30A POWERFLAT
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):30A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 30 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6 A @ 100 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装:PowerFlat(5x6)
  • 工作温度 - 结:150°C(最大)
  • 想获取STPS30H100DJF-TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STPS30H100DJF-TR是ST意法半导体推出的一款高性能表面贴装肖特基整流二极管。该器件核心参数包括100V的最大直流反向电压和30A的平均整流电流,能够在30A电流下实现仅840mV的低正向压降,这显著降低了导通损耗,提升了系统效率。

此外,器件具备快速恢复特性,反向漏电流低至6A @ 100V,确保了高效、清洁的开关操作。其采用8-PowerVDFN(PowerFlat 5x6)封装,优化了热性能与占板面积,为高功率密度、高可靠性的电源转换和整流应用提供了一个紧凑而强大的解决方案。

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