STPS30M100DJF-TR

作为一款高性能的功率肖特基整流二极管，STPS30M100DJF-TR采用了意法半导体先进的功率半导体工艺技术。其核心架构基于优化的肖特基势垒金属-半导体结，该设计在保证高反向击穿电压的同时，显著降低了正向导通压降和开关损耗。器件采用单片集成技术，内部由多个并联的肖特基单元构成，确保了高电流处理能力与良好的均流特性，从而提升了整体的可靠性与效率。

该器件最突出的功能特性在于其卓越的能效表现。在高达30A的平均整流电流下，其正向压降仅为960mV，这一低Vf值直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生，对于提升系统整体效率至关重要。同时，它具备100V的最大直流反向电压，为常见的48V及以下总线电压应用提供了充足的裕量。其快速恢复特性（≤500ns）有效减少了开关过程中的反向恢复电流和相关的开关损耗，使其非常适用于高频开关场景。

在接口与电气参数方面，STPS30M100DJF-TR展现了优异的静态与动态性能。其反向漏电流在100V反向电压下典型值仅为100A，体现了高质量的肖特基结特性。该器件采用表面贴装形式的PowerFlat（5x6）封装，即8-PowerVDFN，这种紧凑的封装具有极低的热阻和优异的散热性能，便于在空间受限的设计中实现高功率密度。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理进行采购与咨询。

基于其高电流、低损耗和快速开关的特性，该肖特基二极管非常适合作为开关电源（SMPS）中的次级侧整流器、DC-DC转换器的续流或输出整流二极管，以及电机驱动、电池充电管理和光伏逆变器等应用中的极性保护或整流单元。其高可靠性和高效率使其成为工业自动化、通信电源和汽车电子等高要求领域中的理想选择。

• 型号:STPS30M100DJF-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SCHOTTK 100V 30A POWERFLAT
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:100 V
• 电流 - 平均整流 (Io):30A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):960 mV @ 30 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 100 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 工作温度 - 结:150°C（最大）
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STPS30M100DJF-TR是意法半导体推出的一款表面贴装型单肖特基整流二极管，专为高效率功率转换应用而设计。其核心优势在于能够处理高达30A的平均整流电流，同时在30A电流下仅产生960mV的低正向压降，这显著降低了导通状态下的功率损耗。

该器件提供100V的最大直流反向电压额定值，并具备快速恢复特性（≤500ns），有效优化了高频开关性能。其采用热性能优异的PowerFlat（5x6）封装，确保了在高功率运行下的可靠散热，适用于对空间和效率均有严苛要求的电源设计。