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STPS61L45CT

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE ARRAY SCHOT 45V 30A TO-220
原厂封装:封装:TO-220
优势价格,STPS61L45CT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STPS61L45CT的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STPS61L45CT是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能肖特基二极管阵列,采用经典的TO-220AB通孔封装。该器件内部集成了一对共阴极配置的肖特基二极管,这种结构设计紧凑,能够有效节省PCB空间,同时简化了电路布局和散热管理。其核心基于先进的肖特基势垒技术,利用金属-半导体结原理,相较于传统的PN结整流二极管,在实现单向导电功能的同时,显著降低了正向导通压降和开关损耗。

该芯片的功能特性突出体现在其高效率与快速响应能力上。在高达30A的每二极管平均整流电流下,其正向压降仅为560mV,这一低Vf值意味着在相同工作电流下,器件自身产生的导通损耗更低,从而提升了整个电源系统的转换效率。同时,它具备快速恢复特性,恢复时间短于500ns(在电流大于200mA条件下),这使其能够胜任高频开关应用,有效减少开关过程中的电压尖峰和反向恢复电流带来的损耗。其最大反向工作电压为45V,反向漏电流在45V时典型值为1.5mA,确保了在额定电压范围内的稳定阻断性能。高达150°C的最大结温使其能够在严苛的热环境下可靠工作,ST一级代理通常备有充足库存,以支持客户的设计与生产需求。

在电气参数与接口方面,STPS61L45CT的共阴极引脚配置为电路设计提供了便利,特别适用于需要公共接地点的拓扑结构。TO-220-3封装提供了良好的机械强度和便于安装散热片的物理特性,有助于将芯片内部产生的热量高效导出。其参数组合包括45V的反向耐压、30A的大电流处理能力、极低的正向压降以及快速的开关速度共同定义了一款适用于高效率、高密度电源设计的理想整流解决方案。

基于上述技术特点,STPS61L45CT广泛应用于需要高效整流和高频操作的场合。典型应用场景包括开关模式电源(SMPS)的次级侧整流、直流-直流转换器的输出整流、电机驱动电路中的续流或钳位二极管,以及各类工业电源、通信设备和消费电子产品的电源模块中。其稳健的性能和通孔封装的可靠性,使其成为工程师在设计和升级中高功率密度、高效率电源系统时的优选器件。

  • 型号:STPS61L45CT
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
  • 描述:DIODE ARRAY SCHOT 45V 30A TO-220
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 二极管配置:1 对共阴极
  • 技术:肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):30A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):560 mV @ 30 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.5 mA @ 45 V
  • 工作温度 - 结:150°C(最大)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
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STPS61L45CT是ST意法半导体生产的一款有源、通孔封装的肖特基二极管阵列,属于整流器阵列系列。该器件采用1对共阴极配置,集成了两个高性能肖特基二极管于TO-220-3封装内。

其核心优势在于45V的最大反向电压和每二极管30A的平均整流电流能力,同时保持了极低的导通损耗,典型正向压降仅为560mV @ 30A。此外,它具备快速恢复特性(≤500ns),适用于高频开关电路,有助于提升系统整体效率。最大结温150°C确保了其在高温环境下的工作可靠性。

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