STPS8170DEE-TR

作为一款高性能的肖特基整流二极管，STPS8170DEE-TR采用了意法半导体先进的功率半导体工艺技术。其核心架构基于优化的肖特基势垒金属-半导体结设计，该结构在实现低正向导通压降的同时，有效控制了反向漏电流，并显著提升了器件的反向耐压能力，使其达到了170V的水平，这在高压肖特基二极管领域是一个重要的性能平衡点。

该器件在功能上表现出色，其最大平均整流电流高达8A，能够承载可观的功率。在8A的额定电流下，其典型正向压降仅为900mV，这意味着在导通状态下的功耗和热量产生被控制在很低的水平，有助于提升系统整体效率并简化热管理设计。其反向恢复特性属于快速恢复类型，恢复时间小于500纳秒，这使其在开关电源等高频应用场景中能够有效减少开关损耗和电压尖峰，提升电源的转换效率和可靠性。此外，在170V的最大反向电压下，其反向漏电流典型值仅为15A，展现了优异的反向阻断特性。

在接口与参数方面，STPS8170DEE-TR采用了表面贴装技术，封装形式为8引脚的PowerFlat（尺寸3.3mm x 3.3mm）。这种紧凑的封装不仅节省了宝贵的PCB空间，其优化的引脚布局和裸露的散热焊盘也极大地增强了散热性能，确保器件在高电流工作条件下能够稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

得益于其高电压、大电流、低损耗和快速开关的特性组合，这款肖特基二极管非常适合应用于要求高效率和高功率密度的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流、直流-直流转换器、电机驱动电路中的续流二极管，以及光伏逆变器和车载充电机等新能源领域的功率转换单元。其稳健的设计使其能够在工业控制、通信基础设施和汽车电子等严苛环境中提供可靠的性能。

• 型号:STPS8170DEE-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SCHOTTKY 170V 8A POWERFLAT
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:170 V
• 电流 - 平均整流 (Io):8A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 8 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15 A @ 170 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 工作温度 - 结:175°C（最大）
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STPS8170DEE-TR是意法半导体推出的一款表面贴装型肖特基整流二极管。其核心优势在于将170V的高反向耐压与8A的大电流整流能力相结合，同时保持了肖特基二极管固有的低正向压降（典型值900mV @ 8A）特性，有效降低了导通损耗。

该器件具备快速恢复能力（≤500ns），适用于高频开关应用，有助于提升电源转换效率。其采用紧凑的8-PowerTDFN（PowerFlat）封装，在提供优异散热性能的同时，最大限度地节省了电路板空间，是高功率密度设计的理想选择。