STPS8L30DEE-TR

STPS8L30DEE-TR是ST意法半导体推出的一款高性能表面贴装肖特基势垒整流二极管，采用先进的PowerFlat封装技术。该器件基于优化的肖特基结架构，其核心在于利用金属与半导体接触形成的势垒，相较于传统PN结二极管，显著降低了正向导通压降和反向恢复电荷。这种架构设计使其在8A的额定平均整流电流下，正向压降典型值仅为500mV，有效提升了系统的整体能效，减少了功率损耗和热耗散。

该二极管具备多项突出的功能特性。其快速恢复特性（恢复时间≤500ns）使其能够高效处理高频开关操作，适用于现代开关电源拓扑。30V的最大直流反向电压额定值提供了稳健的反向阻断能力，而典型值仅为1mA@30V的低反向漏电流，则确保了在关断状态下极低的静态功耗，这对于提升待机效率至关重要。器件采用紧凑的8-PowerTDFN（PowerFlat 3.3x3.3）封装，具有极低的热阻和优异的散热性能，便于在空间受限的设计中实现高功率密度布局。

在电气参数方面，STPS8L30DEE-TR在8A负载下的低正向压降是其核心优势之一，直接转化为更低的导通损耗。其快速开关能力支持高频率工作，有助于减小外围无源元件（如电感和电容）的尺寸。表面贴装形式与PowerFlat封装相结合，不仅优化了PCB面积占用，其裸露的焊盘设计也极大改善了热管理性能，允许器件在持续大电流条件下稳定工作。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取原装正品和技术支持。

凭借其高效率、快速响应和紧凑封装，该器件非常适合应用于对效率和空间有严苛要求的场景。典型应用包括直流-直流转换器中的输出整流、高频逆变器、极性保护电路以及各类电源适配器、服务器电源和车载充电系统的功率调理部分。其稳健的性能使其成为在消费电子、工业电源及汽车辅助系统中实现高效电能转换的理想选择。

• 型号:STPS8L30DEE-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SCHOTTKY 30V 8A POWERFLAT
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:30 V
• 电流 - 平均整流 (Io):8A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 8 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 mA @ 30 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 工作温度 - 结:150°C（最大）
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STPS8L30DEE-TR是ST意法半导体生产的一款表面贴装肖特基整流二极管，采用PowerFlat（3.3x3.3）封装。其核心设计针对高效率功率转换，在8A额定电流下提供仅500mV的典型低正向压降，显著降低导通损耗，提升系统能效。

该器件具备30V的最大反向电压和快速的开关特性（恢复时间≤500ns），适用于高频开关电源应用。同时，其低至1mA@30V的反向漏电流有助于降低待机功耗。紧凑的封装兼具优异的散热性能，是高功率密度设计的理想解决方案。