STPSC10H065BY-TR

STPSC10H065BY-TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级碳化硅（SiC）肖特基整流二极管。该器件采用先进的碳化硅半导体材料，其核心架构基于肖特基势垒原理，但与传统硅基肖特基二极管相比，碳化硅材料带来了根本性的性能飞跃。它彻底消除了PN结二极管固有的少数载流子存储效应，从而实现了理论上为零的反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复时间（trr）。这一特性使其在高频开关应用中能够显著降低开关损耗，提升系统效率。

在功能特性上，该二极管具备650V的高反向击穿电压和10A的平均正向整流电流能力，为高压应用提供了充足的裕量。其正向压降（Vf）特性在高温下表现优异，温度依赖性远低于硅基快恢复二极管，确保了在严苛环境下的稳定工作。尤为关键的是，其反向恢复时间标称为0ns，这意味着在开关转换过程中几乎没有反向恢复电流尖峰，这不仅降低了开关器件的应力，也有效减少了电磁干扰（EMI）。此外，在650V反向电压下，其反向漏电流典型值仅为100A，展现了出色的阻断特性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过ST授权代理获取正品器件和技术支持。

该器件采用表面贴装形式的DPAK（TO-252-3）封装，具有良好的散热性能和便于自动化生产的特性。其结电容在0V偏置、1MHz测试条件下为480pF，这一参数对于评估高频下的动态性能至关重要。无恢复时间的特性使其特别适用于要求高效率和高开关频率的场合。这些接口与参数特性共同定义了一款高性能、高可靠性的功率半导体器件。

基于其车规级认证和卓越的电气性能，STPSC10H065BY-TR的理想应用场景主要集中在汽车电子和工业电源领域。在电动汽车中，它常被用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器以及驱动系统的PFC（功率因数校正）电路中，以提升能效和功率密度。在工业领域，它适用于服务器电源、通信电源、太阳能逆变器及不间断电源（UPS）等系统的高频整流环节，有助于实现设备的小型化和轻量化设计。

• 型号:STPSC10H065BY-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):10A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:480pF @ 0V，1MHz
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC10H065BY-TR是一款符合AEC-Q101标准的车规级650V/10A碳化硅肖特基整流二极管。其核心优势在于采用碳化硅技术，实现了理论值为0ns的反向恢复时间，彻底消除了开关过程中的反向恢复损耗与电流尖峰，显著提升高频开关电源的效率并降低电磁干扰。

该器件提供650V的高反向耐压与10A的连续电流能力，在高温下保持优异的正向特性。其极低的反向漏电流（100A @ 650V）确保了高效的阻断性能。采用DPAK表面贴装封装，兼具良好的功率处理能力与安装便利性，专为要求高可靠性、高效率的汽车及工业功率应用而设计。