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STPSC15H12DY

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220AC
原厂封装:封装:TO-220AC
优势价格,STPSC15H12DY的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STPSC15H12DY的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STPSC15H12DY是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管,采用经典的TO-220AC通孔封装。该器件代表了现代功率半导体技术的前沿,其核心架构基于宽禁带半导体材料碳化硅。与传统的硅基快恢复二极管相比,碳化硅材料赋予了其卓越的物理特性,包括更高的临界击穿电场、更高的热导率以及更宽的能带间隙。这使得器件能够在极高的电压和温度下稳定工作,同时从根本上消除了传统PN结二极管固有的少数载流子存储效应,实现了理论上零反向恢复时间(trr=0ns)无反向恢复电荷(Qrr)的特性。

得益于其独特的材料与结构,该二极管展现出多项突出的功能特点。其最大反向重复电压高达1200V,能够轻松应对工业级三相交流输入整流、光伏逆变器直流母线等高压场合。在15A的额定平均整流电流下,其正向压降典型值仅为1.5V,这显著降低了导通损耗,提升了系统整体效率,尤其在高频开关应用中优势明显。同时,其反向漏电流在1200V满额电压下也控制在极低的90A水平,体现了优异的阻断特性。对于需要可靠供应链的客户,可以通过授权的ST一级代理获取原装正品和技术支持。

在电气参数与接口方面,该器件设计简洁高效。其TO-220AC封装提供了优异的散热路径,便于安装在散热器上,满足高功率密度应用的热管理需求。其电容特性在零偏压、1MHz测试条件下为1200pF,结合零反向恢复的特性,使得它在高频开关电路中引起的开关损耗和电磁干扰(EMI)极低。这些参数共同塑造了其“理想二极管”般的开关行为,即开关动作仅由外部电路决定,器件本身不引入额外的延迟或损耗。

基于其高压、高效、高频的特性,STPSC15H12DY非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的领域。在新能源领域,它是太阳能光伏逆变器、储能系统(ESS)PFC(功率因数校正)电路和DC/DC变换器中升压或续流二极管的理想选择。在工业驱动与电源中,可用于服务器电源、通信电源、不间断电源(UPS)以及电机驱动变频器中的整流和钳位电路。此外,其符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列身份,也使其能够胜任电动汽车车载充电机(OBC)、DC/DC转换器等严苛的汽车电子应用,助力实现更轻量化、更高效的电动动力总成系统。

  • 型号:STPSC15H12DY
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220AC
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220AC
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):15A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 15 A
  • 速度:零恢复时间 \> 500mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90 A @ 1200 V
  • 不同Vr、F 时电容:1200pF @ 0V,1MHz
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-2
  • 供应商器件封装:TO-220AC
  • 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC15H12DY是意法半导体推出的一款汽车级(AEC-Q101)1200V/15A碳化硅肖特基二极管,采用TO-220AC封装。该器件的核心优势在于利用碳化硅材料特性,实现了零反向恢复时间(trr=0ns),从根本上消除了开关损耗和相关的EMI问题,特别适用于高频开关应用。

其电气参数表现卓越,在15A额定电流下正向压降仅为1.5V,有助于降低导通损耗,提升系统效率。同时,1200V的高反向耐压和极低的反向漏电流确保了在高电压环境下的可靠阻断能力。这些特性使其成为提升光伏逆变器、工业电源、电动汽车车载充电机等高效能功率转换系统性能的关键元件。

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