STPSC20065CWL

STPSC20065CWL是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能碳化硅（SiC）肖特基二极管，隶属于其先进的ECOPACK2产品系列。该器件采用TO-247-3长引线通孔封装，专为要求高效率、高可靠性和高功率密度的应用而设计。其核心架构基于宽禁带半导体材料碳化硅，这从根本上区别于传统的硅基快恢复二极管，实现了近乎理想的开关特性与极低的损耗。

该二极管的核心优势在于其零反向恢复电荷（Qrr）特性。得益于碳化硅肖特基结构，其反向恢复时间（trr）标称为0ns，在电流大于500mA（Io）时无恢复时间，彻底消除了传统硅二极管在关断时因少数载流子复合而产生的反向恢复损耗和电流尖峰。这一特性对于提升开关电源频率、降低电磁干扰（EMI）和简化缓冲电路设计至关重要。同时，它在10A额定电流下的典型正向压降（Vf）仅为1.45V，结合高达650V的最大直流反向电压（Vr）和低至130A @ 650V的反向泄漏电流，确保了在高压大电流工况下仍能保持优异的热性能和效率。

在电气参数方面，STPSC20065CWL展现了卓越的静态与动态性能。其平均整流电流（Io）为10A，能够满足中等功率等级的应用需求。极低的结电容（典型值670pF @ 0V, 1MHz）进一步减少了开关过程中的损耗，使其非常适用于高频开关场景。TO-247封装提供了出色的散热能力，便于在功率系统中实现有效的热管理。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

基于其技术特性，STPSC20065CWL非常适合应用于对效率与频率有严苛要求的领域。主要应用场景包括服务器和通信设备的高效率开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和DC-DC转换器、太阳能光伏逆变器的升压或续流回路、电动汽车车载充电机（OBC）以及工业电机驱动的整流与续流部分。在这些应用中，它能够显著降低系统损耗，提升功率密度，并允许使用更小的磁性元件，从而帮助工程师设计出更紧凑、更高效的下一代电力电子系统。

• 型号:STPSC20065CWL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARB 650V 10A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):10A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.45 V @ 10 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:130 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:670pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC20065CWL是意法半导体基于碳化硅技术制造的一款10A、650V肖特基二极管，采用TO-247-3长引线封装。其核心卖点在于利用宽禁带半导体特性，实现了零反向恢复时间（0ns），从根本上消除了开关过程中的反向恢复损耗与相关噪声，显著提升开关频率和系统效率。

该器件在10A电流下正向压降仅为1.45V，同时具备极低的反向泄漏电流（130A @ 650V）和结电容。这些参数共同确保了其在高压、高频工作条件下具有出色的热性能和低导通/开关损耗。它专为追求高功率密度和高可靠性的先进电源与能源转换系统而优化。