STPSC20H065CT

STPSC20H065CT是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用碳化硅（SiC）技术的肖特基势垒二极管。该器件采用1对共阴极的阵列配置，封装于标准的TO-220AB通孔封装内，专为满足汽车电子（AEC-Q101）及工业领域对高效率、高可靠性的严苛要求而设计。其核心优势在于利用碳化硅材料的宽禁带特性，从根本上克服了传统硅基快恢复二极管在高压、高温应用中的性能瓶颈。

得益于碳化硅肖特基结构，该二极管展现出近乎理想的无反向恢复特性。在数据表中，其反向恢复时间（trr）标注为“-”，这并非数据缺失，而是技术上的显著特征，意味着在典型的开关过程中，其反向恢复电荷（Qrr）极低，可忽略不计。这一特性直接转化为系统级的巨大优势：显著降低开关损耗，尤其是在高频硬开关拓扑中；减少电磁干扰（EMI），因为消除了反向恢复电流尖峰；同时，提升系统效率与功率密度。其正向压降（Vf）在10A电流下典型值仅为1.75V，结合650V的高反向耐压，提供了优异的导通与阻断性能平衡。

在电气参数方面，该器件额定平均整流电流（Io）为每二极管10A，最大直流反向电压（Vr）达650V，能够从容应对三相整流、PFC（功率因数校正）电路等高压场合。其反向漏电流在650V满额电压下也控制在极低的100A水平，确保了高温下的工作稳定性。工作结温范围覆盖-40°C至175°C，使其适用于环境苛刻的应用。标准的TO-220-3封装提供了良好的散热路径和成熟的安装工艺兼容性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

STPSC20H065CT非常适合应用于对效率和可靠性有极高要求的领域。在新能源汽车领域，它是车载充电机（OBO）、DC-DC转换器和电机驱动器中升压、整流环节的理想选择。在工业电源中，可用于服务器电源、通信电源的PFC级和LLC谐振变换器的次级整流，以实现更高的开关频率和效率。此外，在太阳能逆变器、不同断电源（UPS）等可再生能源和储能系统中，其高温性能和低损耗特性也能显著提升系统整体效能与寿命。

• 型号:STPSC20H065CT
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:10A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 10 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 650 V
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
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STPSC20H065CT是意法半导体基于碳化硅技术制造的肖特基二极管，采用TO-220AB封装，符合汽车级AEC-Q101标准。其核心价值在于利用碳化硅材料特性，实现了650V高反向耐压下的近乎零反向恢复电荷，从而大幅降低开关损耗和电磁干扰。

该器件每二极管可承受10A的平均整流电流，在10A电流下的典型正向压降仅为1.75V，结合高达175°C的结温工作能力，提供了卓越的能效与高温可靠性。这些特性使其成为要求高效率、高功率密度和高频操作的汽车电子及工业电源应用的优化解决方案。