STPSC20H065CTY

STPSC20H065CTY是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用碳化硅（SiC）技术的肖特基势垒二极管，属于其面向汽车电子等高可靠性应用的AEC-Q101认证产品系列。该器件采用TO-220AB通孔封装，内部集成了一对共阴极配置的二极管，为需要高效率和紧凑布局的功率转换电路提供了优化的解决方案。

该芯片的核心优势在于其碳化硅材料特性。与传统的硅基快恢复二极管相比，碳化硅肖特基二极管在保持极低反向恢复电荷的同时，实现了更高的反向击穿电压和更优异的高温工作性能。STPSC20H065CTY具备650V的最大直流反向电压（Vr）和10A的每二极管平均整流电流（Io）能力，其正向压降（Vf）在10A电流下仅为1.75V，这有助于显著降低导通损耗，提升系统整体效率。其快速恢复特性（恢复时间≤500ns）能有效抑制开关过程中的电压尖峰和振荡，减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。

在电气参数方面，该器件表现出色。其在650V反向电压下的典型反向漏电流仅为100A，确保了在高压关断状态下极低的功率损耗。更值得关注的是其宽广的工作结温范围，从-40°C到175°C，这使得它能够适应严苛的环境，特别是在汽车引擎舱或工业高温场景下稳定运行。其坚固的TO-220封装提供了良好的机械强度和散热能力，便于安装在散热器上以管理功率耗散。

基于其高性能和可靠性，STPSC20H065CTY非常适合应用于对效率和功率密度有苛刻要求的领域。主要应用场景包括电动汽车的车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、光伏逆变器中的升压或续流电路，以及服务器电源的功率因数校正（PFC）阶段。在这些应用中，它能有效替代硅基快恢复二极管，实现更高的开关频率、更小的磁性元件尺寸和更低的系统温升。对于需要稳定货源和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理进行采购和咨询，以确保获得正品器件和完整的应用支持。

• 型号:STPSC20H065CTY
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:10A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 10 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 650 V
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
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STPSC20H065CTY是ST意法半导体推出的一款AEC-Q101认证的碳化硅肖特基二极管，采用TO-220AB封装，内部为1对共阴极配置。该器件专为高效率、高可靠性的功率应用设计，其核心参数包括650V的最大反向电压和10A的每二极管平均整流电流。

得益于碳化硅材料的优异特性，该二极管在10A电流下的正向压降仅为1.75V，并具备快速恢复（≤500ns）和极低的反向漏电流（100A @ 650V）特性，能显著降低开关和导通损耗。其工作结温范围宽达-40°C至175°C，确保了在汽车和工业等严苛环境下的稳定性和长寿命。