STPSC20H065CW

STPSC20H065CW是ST意法半导体推出的一款采用先进碳化硅（SiC）材料技术的高性能肖特基二极管阵列。该器件采用TO-247-3通孔封装，内部集成了一对共阴极配置的二极管，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。其核心优势在于利用了碳化硅材料的优异物理特性，与传统硅基快恢复二极管相比，在反向恢复特性、高温工作能力以及开关损耗方面实现了质的飞跃。

该器件最显著的功能特点是其零反向恢复时间（0 ns）的特性。得益于碳化硅肖特基二极管的单极型导电机制，它在从正向导通到反向阻断的切换过程中，几乎不产生少数载流子的存储与复合，从而彻底消除了传统硅二极管固有的反向恢复电流和由此带来的开关损耗。这一特性对于提升开关电源、逆变器及PFC（功率因数校正）电路的开关频率和整体效率至关重要。同时，它在高达650V的反向电压下，反向漏电流典型值仅为100A，展现了优异的阻断能力。其正向压降在10A电流下为1.75V，提供了良好的导通性能。

在电气参数方面，STPSC20H065CW的每二极管平均整流电流为10A，能够承受较高的连续工作电流。其宽广的工作结温范围（-40°C至175°C）确保了器件在恶劣环境下的高可靠性，尤其适合对热管理要求严苛的工业应用。TO-247封装提供了出色的散热路径，便于通过散热器进行有效的热传导。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取该产品，确保原装正品和完整的应用支持。

基于其高性能指标，STPSC20H065CW非常适合应用于追求高效率和高功率密度的场景。典型应用包括服务器和通信设备的开关模式电源（SMPS）中的升压PFC级、太阳能光伏逆变器的DC-AC转换部分、不间断电源（UPS）以及电动汽车车载充电机（OBC）等。在这些应用中，它能够显著降低开关损耗，减少电磁干扰（EMI），允许使用更小的磁性元件和散热器，从而帮助系统设计者实现更紧凑、更高效、更可靠的电源解决方案。

• 型号:STPSC20H065CW
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:10A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 10 A
• 速度:无恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 650 V
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247
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STPSC20H065CW是ST意法半导体生产的一款650V、10A碳化硅肖特基二极管阵列，采用TO-247-3封装。该器件集成了共阴极配置的双二极管，其核心价值在于利用碳化硅技术实现了零反向恢复时间（0 ns），从根本上消除了开关损耗和相关的恢复电流尖峰。

该二极管在10A电流下的典型正向压降为1.75V，在650V额定电压下的反向漏电流极低。其工作结温范围高达175°C，确保了高温环境下的稳定性和长寿命。这些特性使其成为提升开关电源、PFC电路和能源逆变系统效率与功率密度的理想选择。