STPSC20H12CWL

STPSC20H12CWL是意法半导体（STMicroelectronics）基于先进碳化硅（SiC）技术开发的一款高性能肖特基二极管阵列。该器件采用1对共阴极的配置，集成了两个独立的碳化硅肖特基二极管于单个TO-247-3封装内，这种架构不仅优化了功率密度，还简化了电路板布局，特别适用于需要紧凑型设计的桥式拓扑结构。其核心优势在于利用了碳化硅材料的宽禁带特性，从根本上克服了传统硅基快恢复二极管在高压、高温和高频应用中的性能瓶颈。

该二极管阵列具备一系列卓越的功能特性。其最显著的优势是零反向恢复电荷（Qrr）和零反向恢复时间（trr），这得益于肖特基势垒的多数载流子导电机制，消除了少数载流子的存储效应。这一特性使得它在高频开关电路中能够极大降低开关损耗，提升系统整体效率，并有效减轻开关噪声和电磁干扰（EMI）。同时，在高达1200V的反向电压下，其反向漏电流极低，典型值仅为60A，确保了出色的关断状态和高温下的稳定性。其正向压降在10A电流下仅为1.5V，提供了优异的导通性能。

在电气参数与物理接口方面，STPSC20H12CWL定义了高性能的标准。每个二极管的平均整流电流（Io）为25A，能够承受高功率负载。其工作结温范围宽达-40°C至175°C，结合意法半导体的ECOPACK环保封装技术，保证了器件在严苛环境下的长期可靠性与鲁棒性。通孔安装的TO-247-3封装提供了卓越的热管理能力，便于与散热器集成，有效导出芯片工作时产生的热量。用户可以通过官方授权的ST代理商获取完整的技术资料、样品及供货支持。

凭借其无与伦比的开关速度和高温稳定性，该器件主要面向对效率和功率密度有极致要求的应用场景。它是光伏逆变器、不间断电源（UPS）、工业电机驱动、电动汽车车载充电机（OBC）以及服务器电源等先进电力电子系统的理想选择。在这些应用中，它能够替代传统的硅基快恢复二极管或硅基IGBT模块中的反并联二极管，显著提升开关频率，从而减小无源元件（如电感和电容）的尺寸和成本，最终实现系统的小型化、轻量化与高效化。

• 型号:STPSC20H12CWL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARR SIC 1200V 25A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:1200 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:25A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 10 A
• 速度:无恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60 A @ 1200 V
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
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STPSC20H12CWL是意法半导体推出的一款采用碳化硅技术的1200V/25A肖特基二极管阵列，采用1对共阴极配置和TO-247-3封装。该器件的核心价值在于其基于宽禁带半导体材料，实现了理论上零反向恢复时间（0ns）和零反向恢复电荷，这彻底消除了传统二极管在开关过程中的拖尾电流，为高频开关应用带来了革命性的效率提升。

其技术参数表现出色，在10A电流下正向压降仅为1.5V，且在1200V额定电压下反向漏电流极低。结合-40°C至175°C的宽结温工作范围以及ECOPACK封装，该器件确保了在高功率密度和高环境温度应用中的卓越可靠性与稳定性，是追求高效率、高频率电源设计的工程师的优选解决方案。