STPSC2H12B-TR1

STPSC2H12B-TR1是ST意法半导体推出的一款高性能碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管，隶属于其ECOPACK产品系列。该器件采用先进的宽带隙半导体材料碳化硅，构建了其核心架构。与传统硅基快恢复二极管相比，碳化硅材料带来了更宽的禁带宽度、更高的临界击穿电场和更高的热导率，这使得二极管能够在高温、高压和高频条件下表现出卓越的电气特性，从根本上提升了功率转换系统的效率和可靠性。

该二极管最显著的功能特点是其零反向恢复电荷（Qrr）和零反向恢复时间（trr）。由于肖特基势垒原理和碳化硅材料的结合，它在从正向导通到反向阻断的切换过程中，没有少数载流子的存储与复合过程，从而彻底消除了传统硅PN结二极管固有的反向恢复损耗和相关的开关噪声。这一特性对于高频开关应用至关重要，可以显著降低开关损耗，提升系统效率，并简化缓冲电路的设计。同时，其高达1200V的反向击穿电压（Vr）和5A的平均正向电流（Io）能力，使其能够胜任中高功率等级的应用。在2A正向电流下，其正向压降（Vf）典型值仅为1.5V，这有助于降低导通损耗，而在1200V满额电压下的反向漏电流（Ir）仅为12A，展现了优异的阻断能力和高温稳定性。

在接口与参数方面，该器件采用标准的表面贴装TO-252-3（DPAK）封装，便于自动化生产并具有良好的散热性能。其结电容在0V偏压和1MHz测试频率下为190pF，较低的电容值有利于高频开关性能。需要指出的是，该器件目前处于停产状态，用户在为新设计选型时需咨询ST授权代理以获取替代产品信息或库存情况。其无恢复时间的特性使其速度极快，特别适合要求严苛的开关场景。

基于其高压、高效、高频的特性组合，STPSC2H12B-TR1非常适用于对效率和功率密度有高要求的应用场景。典型应用包括功率因数校正（PFC）电路、开关模式电源（SMPS）的高压次级侧整流、光伏逆变器的升压或续流回路，以及不间断电源（UPS）和工业电机驱动中的高频整流环节。在这些应用中，它能够帮助系统实现更高的开关频率、更紧凑的磁性元件设计以及整体系统效率的提升，是追求高性能功率转换设计的工程师曾经重点考虑过的元器件之一。

• 型号:STPSC2H12B-TR1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:1200 V
• 电流 - 平均整流 (Io):5A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 2 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12 A @ 1200 V
• 不同Vr、F 时电容:190pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC2H12B-TR1是ST意法半导体ECOPACK系列中的一款1200V、5A碳化硅肖特基二极管，采用DPAK表面贴装封装。其核心价值在于利用碳化硅材料实现了零反向恢复时间（trr=0ns）和零反向恢复电荷，彻底消除了开关损耗中的反向恢复部分，为高频开关应用提供了理想的解决方案。

该器件在2A电流下正向压降仅为1.5V，有助于降低导通损耗，同时在额定1200V电压下的反向漏电流低至12A，确保了高效与稳定的阻断性能。这些参数使其特别适用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的前沿电源设计，如高端服务器电源、通信电源、太阳能逆变器及电动汽车车载充电机等领域的功率转换环节。