STPSC6H065BY-TR

STPSC6H065BY-TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款面向汽车电子应用的650V碳化硅（SiC）肖特基整流二极管。该器件采用先进的宽禁带半导体材料碳化硅，其核心架构与传统硅基快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（UFRD）有本质区别。碳化硅材料带来了更高的临界击穿电场强度和更快的电子饱和漂移速度，这使得器件能够在保持高耐压的同时，实现极低的反向恢复电荷和近乎为零的反向恢复时间。

得益于其碳化硅肖特基结构，该二极管展现出卓越的功能特性。其最显著的优势在于反向恢复时间（trr）为0ns，这意味着在开关过程中，从正向导通到反向阻断的切换几乎没有延迟和电荷存储效应，从而彻底消除了传统硅二极管因反向恢复引起的开关损耗和电压尖峰。这一特性对于提升开关电源、PFC（功率因数校正）电路等高频应用的整体效率至关重要。同时，器件在650V反向电压下的反向漏电流典型值仅为60A，表现出优异的阻断能力和高温稳定性，符合汽车级AEC-Q101的严苛可靠性标准。

在接口与关键参数方面，STPSC6H065BY-TR采用标准的表面贴装DPAK（TO-252-3）封装，便于自动化生产并具有良好的散热性能。其平均整流电流（Io）为6A，能够满足中等功率等级的应用需求。其零反向恢复特性与低至300pF（@0V， 1MHz）的结电容相结合，使得它在高频开关下仍能保持极低的开关损耗和电磁干扰（EMI）。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细资料、样品以及本地化服务。

该器件的典型应用场景广泛覆盖了要求高可靠性、高效率和高工作频率的领域。在汽车电子中，它是车载充电机（OBC）、DC-DC转换器以及驱动系统中逆变器PFC级的理想选择，有助于减小磁性元件体积、提升功率密度并满足严苛的能效与散热要求。此外，在工业电源、服务器电源、通信电源以及太阳能逆变器等场合，其零反向恢复和高温工作能力也能显著提升系统效率和可靠性，是推动电力电子系统向更高频率、更小体积、更高效率发展的关键元器件之一。

• 型号:STPSC6H065BY-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):6A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:300pF @ 0V，1MHz
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC6H065BY-TR是ST意法半导体推出的符合AEC-Q101标准的汽车级650V碳化硅肖特基整流二极管。该器件采用先进的宽禁带半导体技术，核心优势在于其零反向恢复时间（0ns）特性，能够彻底消除传统硅二极管在开关过程中的反向恢复损耗和电压振荡，从而大幅提升高频开关电路的效率并降低电磁干扰。

器件额定平均整流电流为6A，采用DPAK表面贴装封装，具备优异的散热性能。其在650V最大反向电压下的漏电流极低（60A），结合低结电容（300pF @ 0V），确保了在高频、高温工作环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为汽车车载充电器、DC-DC转换器以及工业高效电源等对效率和功率密度有严苛要求的应用中的理想解决方案。