STPSC8H065BY-TR

意法半导体推出的STPSC8H065BY-TR是一款面向汽车电子应用的650V碳化硅（SiC）肖特基整流二极管。该器件基于先进的宽带隙半导体材料碳化硅构建，其核心架构摒弃了传统硅基PN结二极管的结构，采用了金属-半导体结的肖特基势垒原理。这种设计从根本上消除了少数载流子的存储效应，从而实现了理论上零反向恢复时间（0 ns）和零反向恢复电荷的卓越特性，这对于提升高频开关电路的效率与可靠性至关重要。

在功能表现上，该二极管在高达650V的反向电压下具备8A的平均整流电流能力，其反向漏电流在额定电压下典型值仅为80A，展现了优异的阻断特性。得益于碳化硅材料的高导热性和高击穿电场强度，器件能够在高温环境下稳定工作，并显著降低导通损耗。其正向压降特性经过优化，有助于减少通态功耗，提升整体能效。无恢复时间的特性意味着在桥式拓扑或PFC（功率因数校正）电路中，它可以有效降低开关噪声、减小电磁干扰（EMI），并允许系统工作在更高的开关频率，从而缩小无源元件的体积。

该产品采用标准的表面贴装DPAK（TO-252-3）封装，便于自动化生产并具有良好的散热性能。其关键参数，如低至414pF的结电容（在0V，1MHz条件下测量），进一步支持了高频应用。作为符合AEC-Q101标准的车规级产品，它经过了严格的可靠性测试，确保能在汽车引擎舱等恶劣环境中长期稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取此型号及完整的技术支持。

在应用场景方面，STPSC8H065BY-TR非常适合用于要求高效率、高功率密度和高可靠性的领域。典型应用包括电动汽车的车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、光伏逆变器、工业电源的PFC级以及服务器电源等。在这些应用中，它能够替代传统的硅基快恢复二极管或SiC MOSFET的体二极管，显著降低开关损耗和温升，从而提高系统功率密度和整体能效，满足现代电力电子系统对小型化、轻量化和高效化的迫切需求。

• 型号:STPSC8H065BY-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):8A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:414pF @ 0V，1MHz
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC8H065BY-TR是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级650V碳化硅肖特基整流二极管。该器件采用先进的SiC技术，提供8A的平均整流电流，并具备零反向恢复时间（0 ns）的特性，能极大降低高频开关应用中的开关损耗和电磁干扰。

其650V的高反向耐压和低至80A的反向漏电流确保了在高压环境下的可靠阻断能力。器件采用DPAK表面贴装封装，具有良好的散热性能，适用于对效率、功率密度和可靠性有严苛要求的汽车电子及工业电源系统，如车载充电器、DC-DC转换器和功率因数校正电路。