STQ3N45K3-AP

STQ3N45K3-AP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺和优化的单元结构，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构通过精细的沟道设计和栅极氧化层工艺，确保了在高压工作条件下的可靠性与稳定性，同时有效控制了寄生电容，为开关应用中的快速切换性能奠定了基础。

该MOSFET的显著特性体现在其450V的高漏源击穿电压（Vdss）与相对较低的导通电阻（Rds(on)）上。在10V栅极驱动电压、500mA漏极电流条件下，其导通电阻典型值仅为3.8欧姆，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，结合最大±30V的栅源电压范围，提供了良好的噪声抑制能力和驱动灵活性。此外，极低的栅极电荷（Qg，最大值6nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值150pF @ 25V）是其另一大亮点，这意味着驱动电路所需的开关能量更小，能够实现更高的开关频率并简化栅极驱动设计，特别适合对开关速度有要求的应用。

在电气参数方面，该器件在壳温（Tc）条件下可承受600mA的连续漏极电流，最大功耗为3W。其结温（TJ）最高可工作于150°C，展现了良好的热性能。器件采用经典的TO-92-3通孔封装，便于在各类PCB板上进行安装和焊接，具有良好的通用性。作为ST意法半导体产品线的一员，用户可以通过其授权的ST代理获取详细的技术支持与供应链服务。

凭借其高压、低导通损耗和快速开关的特性，STQ3N45K3-AP非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧辅助电源、小功率AC-DC转换器、电子镇流器以及各种需要高压切换的工业控制电路中。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的技术思路和性能参数，对于理解高压小电流MOSFET的应用选型仍具有重要的参考价值。

• 型号:STQ3N45K3-AP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-92-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 450V 600MA TO92-3
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:450 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92-3
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
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STQ3N45K3-AP是ST意法半导体推出的一款N沟道MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件核心优势在于其450V的高压承受能力与优化的动态开关特性的结合。

其技术参数精准定位了小功率高压开关应用的需求：600mA的连续漏极电流和3.8欧姆的低导通电阻确保了高效的功率传输；而最大仅6nC的栅极电荷和150pF的输入电容，则显著降低了开关损耗，支持更快的开关速度。这些特性使其成为构建紧凑、高效电源及控制电路的理想选择。