STQ3NK50ZR-AP

STQ3NK50ZR-AP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用经典的垂直DMOS结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心在于SuperMESH技术，该技术通过特殊的网格状源极金属化布局和先进的沟道控制，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时确保了在高压开关应用中的坚固性和可靠性。

该MOSFET具备500V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对离线式开关电源、功率因数校正（PFC）电路等高压环境中的电压应力。在导通特性方面，其导通电阻典型值较低，在10V栅极驱动电压（Vgs）和1.15A漏极电流条件下，最大值仅为3.3欧姆，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。其栅极电荷（Qg）最大值控制在15nC（@10V），结合约280pF的输入电容（Ciss），意味着器件具有较快的开关速度，有利于降低开关损耗，适用于中低频开关应用。

在电气参数上，STQ3NK50ZR-AP的连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为500mA，最大栅源电压（Vgs）为±30V，提供了宽裕的驱动安全裕度。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，属于标准逻辑电平兼容范围，便于由微控制器或通用驱动IC直接或通过简单电路进行控制。器件采用通孔安装的TO-92-3封装，这是一种经济实用、广泛使用的三引脚封装形式，便于在实验板或PCB上进行手工或波峰焊安装，用户可以通过正规的ST芯片代理获取该器件以用于原型设计或特定生产批次。

凭借其500V的耐压和适中的电流处理能力，这款MOSFET非常适合应用于小功率离线式AC-DC开关电源的初级侧开关、电子镇流器、小功率电机驱动以及各种家用电器中的辅助电源电路。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在苛刻环境下的稳定运行。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计成熟、性能可靠，在诸多现有设备和维修市场中仍有一席之地，是工程师在进行低成本、高可靠性小功率高压开关设计时的经典选择之一。

• 型号:STQ3NK50ZR-AP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-92-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 500MA TO92-3
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 欧姆 @ 1.15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92-3
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
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STQ3NK50ZR-AP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其500V的高漏源电压（Vdss）额定值，结合3.3欧姆的最大导通电阻（@10V, 1.15A），为小功率高压开关应用提供了优异的耐压能力和较低的导通损耗。

其电气特性经过优化，栅极阈值电压典型值适于标准逻辑电平驱动，且最大栅极电荷（Qg）仅为15nC，有助于实现简洁高效的驱动电路设计并控制开关损耗。器件采用通孔TO-92-3封装，额定连续漏极电流（Id）为500mA（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在多种环境条件下的应用灵活性与可靠性。