STR1P2UH7

STR1P2UH7是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET H7技术平台开发的一款P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的SOT-23表面贴装封装，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能平衡。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）的关系，通过精密的沟槽工艺，在确保低栅极电荷的同时，有效降低了导通损耗，这对于提升开关电源和负载管理电路的效率至关重要。

该MOSFET的漏源击穿电压（V_DSS）为20V，连续漏极电流（I_D）在环境温度（T_A）下可达1.4A，使其非常适用于低压、大电流的开关与负载切换应用。其导通电阻表现出色，在V_GS = 4.5V、I_D = 700mA的条件下，R_DS(on)最大值仅为100毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率损耗。此外，极低的栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值1V以及最大4.8nC的栅极总电荷（Q_g），使其能够与低电压微控制器（如1.8V或3.3V逻辑电平）轻松兼容，并实现高速开关，减少开关过程中的损耗。

在接口与关键参数方面，STR1P2UH7设计用于逻辑电平驱动，其优化的驱动电压范围（1.8V至4.5V）覆盖了主流数字电源域。器件具备±8V的栅源电压（V_GS）耐受能力，提供了良好的抗干扰鲁棒性。其最大结温（T_J）高达150°C，结合350mW（基于管壳温度）的功率耗散能力，确保了在紧凑空间和一定环境温度下的可靠运行。对于采购与设计支持，用户可以通过官方ST授权代理获取完整的技术资料与供应链服务。

得益于其小尺寸、低导通电阻和优异的开关特性，STR1P2UH7非常适合空间受限的便携式电子设备应用。典型应用场景包括电池供电设备的负载开关、电源路径管理、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，以及电机驱动中的预驱动电路。其性能参数使其成为需要高效功率切换和紧凑布局的消费类电子、物联网设备及便携式仪器中理想的选择。

• 型号:STR1P2UH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 700mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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STR1P2UH7是ST意法半导体推出的一款采用SOT-23封装的P沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET H7产品系列。该器件在20V的漏源电压（V_DSS）下支持高达1.4A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在4.5V驱动电压下典型值仅为100毫欧，这显著降低了导通状态下的功率损耗。

同时，该MOSFET具备优异的开关性能，其栅极阈值电压低至1V，栅极总电荷（Q_g）最大值为4.8nC，使其能够被标准的低压微控制器（如1.8V/3.3V逻辑）高效驱动，并实现快速的开关速度。这些特性使其成为空间和能效要求苛刻的便携式电子设备中，用于负载切换、电源管理和DC-DC转换等功能的理想解决方案。