STR2N2VH5

STR2N2VH5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的SOT-23表面贴装封装，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能平衡，专为空间受限且对效率有较高要求的现代电子设备设计。

其核心架构优化了单元密度与导通电阻（Rds(On)）之间的关系，实现了在低栅极驱动电压下的高效开关控制。该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）为20V，在25°C结温下可支持高达2.3A的连续漏极电流。其关键优势在于极低的导通损耗，在4.5V栅源电压（Vgs）、2A漏极电流条件下，导通电阻典型值仅为30毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的系统整体效率。

在开关性能方面，STR2N2VH5表现出色。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为700mV，且在4.5V Vgs下的总栅极电荷（Qg）最大值仅为4.6nC，结合最大367pF的输入电容（Ciss），意味着驱动该器件所需的能量极低，能够显著简化驱动电路设计并提升开关速度，适用于高频开关应用。此外，其宽广的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

该器件适用于广泛的低压、高电流密度应用场景。典型应用包括智能手机、平板电脑等便携设备中的负载开关、电源管理单元（PMU）的DC-DC转换器同步整流侧、电池保护电路，以及各类小型电机驱动、LED调光控制等。其SOT-23封装兼容主流贴装工艺，便于集成到高密度PCB设计中，是工程师在追求小型化、高效能设计时的理想功率开关选择。

• 型号:STR2N2VH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:367 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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STR2N2VH5是ST意法半导体推出的一款采用SOT-23封装的N沟道MOSFET，属于其高性能STripFET V产品系列。该器件额定漏源电压为20V，连续漏极电流可达2.3A，核心优势在于其极低的导通电阻，在4.5V栅极电压下典型值仅为30毫欧，能有效降低导通损耗。

其开关特性经过优化，具有低至4.6nC的栅极电荷和700mV的最大栅极阈值电压，确保了快速开关能力和易于驱动的特性，非常适合高频开关电源应用。器件工作结温范围覆盖-55°C至150°C，提供可靠的性能与广泛的适用性。