STS15N4LLF3

STS15N4LLF3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性之间的平衡。其核心架构优化了单元密度与栅极电荷，在紧凑的8-SO封装内集成了高性能的功率处理能力，为空间受限的应用提供了高效的解决方案。

该MOSFET的显著特性在于其优异的导通性能，在10V栅极驱动电压下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至5毫欧（@7.5A），这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为28nC（@4.5V），结合较低的输入电容，确保了快速的开关瞬态响应，有助于减少开关损耗并允许更高频率的PWM操作。器件具备40V的漏源击穿电压（V_DSS）和15A的连续漏极电流（I_D）承载能力，提供了稳健的功率处理基础。

在电气接口与参数方面，STS15N4LLF3的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为4.5V至10V，且最大栅源电压（V_GS）可承受±16V，增强了设计的鲁棒性。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境条件。表面贴装的8-SO封装符合现代自动化生产要求，其热特性经过优化，在管壳温度（T_C）条件下最大功耗为2.7W。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取完整的技术支持与供货信息。

凭借其低导通电阻、快速开关和良好的热性能，STS15N4LLF3非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护电路以及各类电源管理模块。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计中所体现的技术思路和性能参数，对于理解中低压、大电流MOSFET的选型与评估仍具有重要的参考价值。

• 型号:STS15N4LLF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 15A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2530 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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STS15N4LLF3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET技术及8-SO表面贴装封装。其核心优势在于优异的导通特性，在10V V_GS下导通电阻（R_DS(on)）最大值低至5毫欧，同时栅极电荷（Q_g）最大值仅为28nC，实现了低导通损耗与快速开关性能的有效结合。

该器件额定漏源电压（V_DSS）为40V，在管壳温度（T_C）条件下连续漏极电流（I_D）可达15A，最大功耗2.7W。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高效率与高可靠性的功率开关应用。