STS17NF3LL

STS17NF3LL是ST意法半导体基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)），这一核心架构优势使其在紧凑的8-SO封装下能够高效处理高达17A的连续漏极电流（T_C=25°C时）。其栅极结构经过优化，确保了快速开关特性和出色的栅极电荷（Q_g）表现，这对于提升开关电源和电机驱动等应用的效率至关重要。

该MOSFET的关键功能特性体现在其优异的电气参数上。其漏源击穿电压（V_DSS）为30V，适用于常见的12V或24V低压系统。在10V栅极驱动电压（V_GS）下，其导通电阻典型值低至5.5毫欧（在8.5A条件下），这直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值仅为1V，且栅极总电荷（Q_g）在4.5V驱动下最大值为35nC，这些特性共同保证了器件易于驱动，并能实现高速开关，减少开关过程中的能量损失。

在接口与参数方面，STS17NF3LL采用标准的表面贴装8-SO封装，便于自动化生产。其栅极允许的最大电压（V_GS）为±18V，提供了充足的驱动安全裕量。器件的输入电容（C_iss）在25V漏源电压下最大为2160pF，这是评估其开关速度的重要参数。其结温（T_J）工作范围宽达-55°C至175°C，结合3.2W（T_C）的功率耗散能力，确保了其在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过正规的ST一级代理进行采购是保障供应链与产品质量的重要途径。

凭借上述综合性能，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。其主要应用领域包括DC-DC转换器中的同步整流和开关元件、低压电机驱动控制（如无人机电调、小型机器人）、电池保护电路以及各类负载开关。其紧凑的封装和优异的电气性能，使其成为空间受限且需要高效电源管理的便携式设备、消费电子及工业控制模块中的理想选择。

• 型号:STS17NF3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2160 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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STS17NF3LL是ST意法半导体推出的一款采用STripFET II技术的N沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。其核心优势在于30V的漏源电压（V_DSS）和高达17A的连续漏极电流处理能力，结合低至5.5毫欧（@10V V_GS）的导通电阻，能显著降低系统导通损耗。

该器件具备优异的开关特性，其最大栅极阈值电压（V_GS(th)）仅为1V，栅极总电荷（Q_g）最大值为35nC（@4.5V），这确保了其易于驱动并支持高频开关操作。宽泛的结温工作范围（-55°C ~ 175°C）使其能够适应严苛的工作环境，适用于高效率DC-DC转换、电机驱动及负载开关等应用。