STS19N3LLH6

STS19N3LLH6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VI和DeepGATE技术平台构建。该器件采用表面贴装型8-SO封装，专为在紧凑空间内实现高效率功率转换而设计。其核心架构通过优化单元密度和沟道设计，在保持低栅极电荷的同时，显著降低了导通电阻，从而在开关应用中实现了优异的传导损耗与开关损耗平衡。

该MOSFET的漏源电压（Vdss）为30V，在25°C壳温条件下连续漏极电流（Id）可达19A，展现出强劲的电流处理能力。其关键性能参数突出：在10V驱动电压（Vgs）和9.5A电流条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至5.6毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率损耗。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，且驱动电压范围宽（4.5V至10V可获得最小Rds(on)），与常见的3.3V或5V逻辑电平控制器兼容良好，简化了驱动电路设计。其栅极电荷（Qg）最大值仅为17nC（@15V），结合1690pF的输入电容（Ciss），意味着栅极驱动所需的能量很低，有助于提升开关频率并降低驱动电路的负担，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，该器件栅源电压（Vgs）可承受±20V，提供了良好的抗噪能力和可靠性裕度。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。尽管其标称功率耗散为2.7W（环境温度Ta下），但通过有效的PCB散热设计，可以充分发挥其电流承载潜力。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，通过授权的ST一级代理进行采购是保障产品正宗与获取专业服务的重要途径。

基于其低导通电阻、快速开关特性和稳健的封装，STS19N3LLH6非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。典型应用包括DC-DC同步整流转换器（尤其是降压和升压拓扑）、电机驱动控制电路（如无人机、小型电动工具中的H桥）、负载开关以及电池保护与管理系统。在这些应用中，它能够有效降低系统整体能耗，提升终端产品的续航能力或性能表现。

• 型号:STS19N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.6 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 15 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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STS19N3LLH6是ST意法半导体基于STripFET VI技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。该器件核心优势在于其优异的导通性能与开关特性的平衡，其漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）高达19A，而导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs下可低至5.6毫欧，能显著降低功率损耗。

此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为17nC，输入电容（Ciss）为1690pF，确保了快速的开关速度和较低的驱动需求，兼容常见的逻辑电平驱动。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。这些特性使其成为空间受限、要求高效率的电源转换和电机驱动应用的理想选择。