STS1DN45K3

STS1DN45K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款高压双N沟道功率MOSFET阵列。该器件采用单片集成工艺，在单个8-SOIC封装内集成了两个性能匹配的独立MOSFET，旨在为空间受限的高压开关应用提供高集成度的解决方案。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过改进的沟槽栅极设计，有效降低了栅极电荷和开关损耗，从而在高压条件下实现了更优的能效表现。

该芯片的功能特点突出体现在其高压与低损耗的平衡上。其漏源击穿电压（Vdss）高达450V，能够从容应对工业级AC-DC转换、离线式开关电源等应用中的高压应力。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压、500mA漏极电流条件下，其导通电阻（RDS(on)）典型值仅为3.8欧姆，这有助于降低导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为6nC，输入电容（Ciss）最大值也控制在150pF，这意味着驱动电路所需的驱动电流更小，开关速度更快，有助于提升系统整体频率和效率。其最高结温（TJ）可达150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

在接口与关键参数上，STS1DN45K3采用标准的表面贴装8-SOIC封装，便于自动化生产。每个N沟道MOSFET的连续漏极电流（Id）额定值为500mA，最大功耗为1.3W。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，提供了良好的噪声抑制能力和与标准逻辑电平或栅极驱动IC的兼容性。用户可通过正规的ST代理获取详细的技术资料与设计支持。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代型号或生命周期状态。

STS1DN45K3典型的应用场景包括需要高压侧和低压侧开关配对或需要两个独立高压开关的紧凑型电路。例如，它非常适合用于小功率反激式开关电源的初级侧钳位或辅助开关、电子镇流器、LED驱动电源的功率开关部分，以及工业控制系统中作为继电器或接触器的固态替代。其双管集成的特性，不仅节省了PCB空间，也简化了布局布线，尤其在对元件数量和高密度安装有严格要求的场合中展现出显著优势。

• 型号:STS1DN45K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:450V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.3W
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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STS1DN45K3是ST意法半导体推出的一款采用SuperMESH3技术的双N沟道功率MOSFET阵列，集成于8-SOIC封装内。该器件专为高压、小电流的开关应用而优化，其核心优势在于高达450V的漏源电压（Vdss）与低至3.8欧姆的导通电阻（RDS(on)）的良好结合，同时具备极低的栅极电荷（6nC max）和输入电容（150pF max），有助于实现高效率与快速开关。

其额定连续漏极电流为500mA，最高工作结温为150°C，采用表面贴装形式，适用于空间受限的设计。该芯片为需要双路高压开关或对称开关对的应用提供了高集成度的解决方案，但需注意其目前已处于停产状态。