STS26N3LLH6

STS26N3LLH6是ST意法半导体基于其先进的STripFET VI技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现极低的导通损耗与优异的开关性能平衡。其核心在于采用了DeepGATE技术，通过精细的沟槽栅极设计，显著增加了单位芯片面积下的沟道密度，从而在保持较小封装尺寸的同时，有效降低了导通电阻（R_DS(on)）。这种架构优化使得芯片在传导和开关过程中的能量损失得以最小化，为高效率电源转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的低导通电阻与高电流处理能力的完美结合。在10V栅极驱动电压下，其最大导通电阻仅为4.4毫欧（测试条件为13A），这一极低的R_DS(on)值直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，器件在25°C壳温下可支持高达26A的连续漏极电流，展现出强大的功率处理能力。其栅极电荷（Q_g）最大值控制在40nC（@4.5V），结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的负担，这对于高频开关应用至关重要。

在电气参数方面，STS26N3LLH6的漏源击穿电压（V_DSS）为30V，适用于常见的低压直流总线。其栅源阈值电压（V_GS(th)）典型值较低，最大值仅为1V @ 250A，确保了与标准逻辑电平或低电压PWM控制器的良好兼容性。栅源电压（V_GS）最大耐受值为±20V，提供了足够的驱动安全裕量。器件采用紧凑的8-SO表面贴装封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其结温工作范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠性。需要指出的是，该产品目前已处于停产状态，在为新设计选型时，建议通过ST授权代理咨询替代方案或库存情况。

凭借其优异的性能组合，该器件非常适合用于对效率和功率密度有较高要求的同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压和升压拓扑）、电机驱动控制以及各类负载开关等应用场景。在服务器电源、通信设备、电动工具和汽车辅助系统等领域的低压、大电流功率管理模块中，它能有效提升整体能效，减少热设计复杂度。其紧凑的封装形式也使其成为空间受限的便携式电子设备中功率路径管理的理想选择。

• 型号:STS26N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 26A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4040 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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STS26N3LLH6是ST意法半导体推出的一款采用STripFET VI与DeepGATE技术的N沟道功率MOSFET。该器件在30V的漏源电压（V_DSS）规格下，提供了高达26A（Tc）的连续电流处理能力，并实现了极低的导通电阻，典型值低至4.4毫欧（@13A, 10V），旨在最大限度地降低传导损耗。

其设计兼顾了开关性能，具有较低的栅极电荷（40nC @4.5V）和适中的输入电容，有利于实现高效率的高频开关操作。器件采用8-SO表面贴装封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于需要高功率密度和可靠性的紧凑型电源转换与电机控制解决方案。