STS5N15F3

STS5N15F3是ST意法半导体基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过精密的晶圆工艺和单元设计，在单位面积内实现了极低的导通电阻与栅极电荷的出色平衡。其核心设计目标是在150V的中压应用领域提供高效率的功率开关解决方案，尤其注重降低开关损耗和传导损耗，以满足现代电源系统对能效和功率密度的严苛要求。

该MOSFET具备多项关键电气特性。其漏源电压额定值为150V，能够稳定工作在多种离线式电源拓扑中。在25°C壳温条件下，连续漏极电流额定值为5A，展现了其稳健的电流处理能力。一个突出的性能指标是其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压和2.5A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为57毫欧，这直接转化为更低的导通状态功率损耗，提升了系统整体效率。同时，其栅极电荷Qg最大值控制在29nC（@10V），结合适中的输入电容，有助于简化驱动电路设计并实现快速的开关切换，从而有效降低开关损耗。

在接口与参数方面，STS5N15F3采用标准的8引脚SO封装，适用于表面贴装工艺，便于集成到高密度的PCB布局中。其栅源电压最大耐受值为±20V，提供了充足的驱动安全裕量。器件的阈值电压Vgs(th)最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，使其能够适应苛刻的环境温度条件。该器件在功率转换、电机控制、负载开关等应用中表现出色，例如可作为开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流管，也可用于工业自动化设备中的电机驱动电路或逆变器模块。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过官方ST授权代理渠道获取详细的技术支持与供货信息。

• 型号:STS5N15F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 5A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:57 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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STS5N15F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用表面贴装型8-SO封装，核心额定参数为150V漏源电压与5A连续漏极电流，专为中压、中电流的功率开关应用而优化。

其技术优势在于优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻最大值低至57毫欧，能显著降低传导损耗。同时，最大29nC的栅极电荷有助于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性使其非常适用于要求高效率的开关电源、电机控制及各类功率管理电路。