STS5N15F4

STS5N15F4是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET和DeepGATE技术平台制造。该器件采用表面贴装的8-SO封装，在紧凑的物理尺寸内实现了优异的电气性能平衡。其核心架构基于优化的单元设计，旨在显著降低导通电阻(R_DS(on))和栅极电荷(Q_g)，这两个关键参数的优化直接提升了开关效率和功率处理能力，使其成为需要高频率开关和高效能转换应用的理想选择。

该MOSFET的漏源击穿电压(V_DSS)高达150V，确保了在工业级电压环境下稳定工作的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流(I_D)额定值为5A，结合低至63毫欧的导通电阻(在2.5A, 10V条件下)，有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可实现完全导通，同时栅极阈值电压(V_GS(th))最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。

在动态特性方面，STS5N15F4表现出色。栅极总电荷(Q_g)典型值仅为48nC (在10V条件下)，配合2710pF的输入电容，这意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，特别有利于高频开关电源设计。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。最大功率耗散能力为2.5W，为热管理设计提供了明确依据。如需获取官方技术支持或批量采购，可以联系ST授权代理。

凭借其高耐压、低导通电阻和优异的开关特性，STS5N15F4非常适合应用于各类功率转换和管理场景。典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动控制、工业电源中的次级侧同步整流、UPS不间断电源系统以及LED照明驱动等。其稳健的设计和ST成熟的工艺技术，为工程师在提升系统效率、功率密度和可靠性方面提供了有力的元器件支持。

• 型号:STS5N15F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 5A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2710 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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STS5N15F4是ST意法半导体基于STripFET技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。该器件核心优势在于其150V的漏源电压和5A的连续漏极电流能力，同时实现了低至63毫欧的导通电阻，有效优化了导通损耗。

其动态性能同样突出，栅极电荷低至48nC，有助于实现高速开关并降低驱动损耗，提升整体转换效率。宽广的-55°C至150°C工作结温范围确保了其在各种环境下的可靠性，使其成为开关电源、电机控制和功率转换等应用的优选解决方案。