STS5PF20V

STS5PF20V是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款P沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺制造，其核心架构旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。其P沟道设计简化了高边开关应用中的栅极驱动电路，无需额外的电荷泵或电平移位电路，即可在逻辑电平下直接驱动，这为系统设计带来了显著的便利性和成本优势。

在电气特性方面，该MOSFET展现出卓越的性能。其最大漏源电压（Vdss）为20V，在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）可达5A，适用于中等电流负载的开关控制。其关键优势在于极低的导通电阻（Rds(on)），在驱动电压Vgs为4.5V、漏极电流Id为2.5A的条件下，典型值仅为80毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值仅为450mV，配合最大6nC（@2.5V）的低栅极电荷（Qg），确保了器件能够被微控制器或逻辑电路轻松、快速地驱动，实现高效的开关操作，并减少开关损耗。

该器件采用紧凑的8引脚SO封装，符合表面贴装（SMT）工艺要求，便于自动化生产并节省PCB空间。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。最大功率耗散为2.5W（Tc），设计时需结合散热条件进行考量。虽然该产品目前已处于停产状态，但通过正规的ST代理渠道，工程师仍可能获取库存或替代方案信息，以支持既有产品的维护与生命周期管理。

基于其参数特性，STS5PF20V非常适合应用于需要高边负载开关的场合。典型应用包括便携式设备的电源管理，如电池供电设备的负载开关、电源路径控制；在低压DC-DC转换器中作为同步整流或开关元件；亦可用于电机驱动、继电器替代以及各种工业控制板卡中的功率切换模块。其P沟道特性使其在简化电路设计方面具有不可替代的价值。

• 型号:STS5PF20V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 5A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 2.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:450mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 2.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:412 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 想获取STS5PF20V的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STS5PF20V是ST意法半导体推出的一款采用STripFET II技术的P沟道功率MOSFET，封装为8-SO。该器件设计用于20V、5A的中低压开关应用，其核心卖点在于优异的导通性能与易驱动性。

在4.5V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至80毫欧（@2.5A），能有效降低导通损耗。同时，极低的栅极阈值电压和仅6nC的栅极电荷，使其能够被标准逻辑电平直接、高效地驱动，简化了驱动电路设计并提升了开关速度。这些特性使其成为高边开关、电源管理和负载切换等应用的理想选择。